公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来 源 ： 内容 编译自 semienginerring 。 作为当今半导体制造中常用的各种金属的替代品，钼的前景越来越光明，尤其是在前沿节点。 芯片制造商正在逐步淘汰先进节点上的金属。虽然钌衬垫已接近量产阶段，但这种金属还不足以取代 高度可扩展互连中的铜。钌价格昂贵，目前的制造工艺也无济于事。此外，imec 研究员 Zsolt Tőkei 表示，镶嵌工艺中"过度沉积和抛光"步骤产生的废料量令人担忧。虽然减材金属化可以减少废料量， 但它需要对整个工艺进行更大规模、更昂贵的改造。 铜并非唯一一种寿命短的金属。晶体管触点、存储器中的字线以及类似应用通常使用钨、钴和其他金 属，而不是铜。然而，它们面临着许多与铜相同的缩放问题。与铜一样，随着特征尺寸的缩小，钨的 电阻率也会增加。它还需要一个阻挡层来避免电介质污染。在 3D NAND 器件中，Kioxia 的研究人 员报告称，通常用于钨沉积的 WF 6前体中的氟残留物会滞留在空隙中，最终侵蚀周围的电介质材 料。随着特征尺寸的缩小和电流密度的增加，钨也面临电迁移问题。 为了集成钼，金属沉积模块需要能够处理 MoO2Cl2 ...