在全球高端存储芯片竞争白热化的当下，韩国科技巨头三星电子迎来了里程碑式的突破。 据韩国媒体最新报道，三星凭借其 12 层堆叠的 HBM3E 产品，成功通过 NVIDIA 的严格认证，正式跻 身这位 "绿队" 巨头的 HBM 供应链体系。 加入"中国IC独角兽联盟"，请点击进入 是说芯语转载，欢迎关注分享 星标 是说芯语 不错过任何一条消息 ▶ 早在冲击 NVIDIA HBM 供应链初期，三星的 HBM3 产品便因散热问题遭遇滑铁卢，后续调查证实，这 一缺陷根源在于其 DRAM（动态随机存取存储器）技术的设计漏洞。为扭转局面，三星曾转向 8 层 HBM3E 方案寻求突破，然而该方案沿用老旧的 1a 代第四代 DRAM 技术，导致性能不足与散热隐患并 存，最终仍未获得 NVIDIA 的认可。连续的技术挫折，让三星在 HBM 这一高附加值赛道上一度陷入被 动，甚至面临 "技术尊严" 的挑战 —— 毕竟在全球 AI 算力需求爆发的背景下，HBM 作为 AI 服务器的 核心组件，已成为衡量存储厂商技术实力的关键标尺。 据行业消息源 KED Global 披露，为攻克技术难关，三星对 DRAM 芯片设计进行了大幅优化，从 ...