存储芯片周度跟踪:LPDDR4X成品普涨,Q4NAND或涨5-10%-20250930
电子 行业研究/行业周报 LPDDR4X 成品普涨,Q4NAND 或涨 5-10% ——存储芯片周度跟踪(2025.09.22-2025.09.26) ◼ 核心观点 HBM:美光科技 CEO 称 HBM 芯片供不应求,将成 2026 年存储板 块核心增长动力。根据财联社报道,美光科技 CEO Sanjay Mehrotra 在财报电话会上指出,预计全球存储芯片(尤其 HBM)供需不平衡 将加剧,因 DRAM 库存低于目标,而 NAND 库存持续下降;同时, 2026 年 HBM 产能已基本锁定,需求增长显著,2026 年 HBM 出货量 增速预计超整体 DRAM,成存储板块核心增长动力。 市场端:资源涨价叠加需求端询单动作频频,上周嵌入式 NAND 和 LPDDR4X 成品迎来普涨行情。根据 CFM 闪存市场报道,上游供应 端涨价的影响下,近期存储现货市场询单动作频频,资源涨价也已逐 渐传导至嵌入式成品端,上周 eMMC 和 UFS 普遍较大幅度调涨价 格。而 LPDDR4X 也因部分原厂暂停报价,并传出计划将大幅上调 LPDDR4X 资源价格,市场看涨情绪快速升温,基于一定的涨价预 期,高位横盘一月有余的 ...