全球内存市场供需与价格展望 - 2026年全年全球内存市场预计将持续供不应求，推动产品价格走高 [1] - 2026年DRAM位元供应量增幅预计为15%至20%，而需求增速预计为20%至25% [1] - 2026年NAND闪存位元供应量增幅预计为13%至18%，而需求增幅预计为18%至23% [1] 服务器与人工智能需求驱动 - 2026年服务器领域的DRAM和NAND闪存消耗量预计将同比激增40%至50% [1] - 人工智能推理业务资本投入在2025年已超过训练业务，预计2026年将进一步增长，推动企业级SSD需求 [5] - 云人工智能业务被视为2026年市场的核心增长驱动力 [7] DRAM市场结构性变化 - 头部供应商加速淘汰DDR4产线，将产能分配给更新型、利润率更高的产品 [2] - 预计到2026年下半年，三星电子和SK海力士的DDR4晶圆开工占比将降至个位数低位 [2] - 2026年DDR4供应量预计将持续比需求量短缺约10%，支撑其价格保持高位 [2] - 高带宽内存(HBM)产能（如HBM3E）已被预订一空，HBM4的布局将进一步挤压标准DDR5的产能空间 [3] - 不含HBM的传统DRAM产品价格在2025年第四季度上涨了近50%或更高，涨价势头预计延续至2026年上半年 [3] 产品价格动态 - 三星64GB DDR5 RDIMM内存合约价从2025年第三季度的约265美元，上涨至第四季度的约450美元，2026年第一季度或逼近480美元 [3] - 2025年第四季度NAND晶圆价格环比暴涨约95%至100% [5] - NAND闪存的供应短缺与价格上涨态势预计延续至2026年，但价格上涨节奏可能放缓 [6] 产能与供应状况 - 铠侠与长江存储的新NAND产能预计要到2026年第二季度才有可能实现可观产量贡献 [5] - 华邦电子计划将其高雄工厂的月产能从约1.4万片晶圆提升至2.4万至2.5万片 [2] - 内存制造商暂停公开报价并持续上调产品价格，导致非AI与消费级市场面临采购成本攀升与货源紧缺 [4] - 内存模组厂商采取限量出货策略，优先保障战略客户，原材料成本攀升挤压其利润率 [7] 技术趋势与产品需求 - 市场对128GB及更大容量DDR5内存模组，以及采用LPDDR5X规格的SOCAMM2内存配置的需求将占据更大DRAM产能份额 [4] - HBM4的生产会消耗更多晶圆且涉及更复杂的良率管控，加剧结构性供应压力 [4] - 北美云服务运营商对128TB至256TB大容量SSD的需求促使厂商从TLC NAND转向QLC技术 [5] 产业链厂商策略与市场格局 - 南亚科技巩固了其全球最大DDR4供应商的地位 [2] - 威刚科技预计2026年内存模组市场的两极分化态势将加剧，部分厂商能获得稳定芯片供应，另一些则持续面临短缺 [7] - 群联电子已在行业淡季锁定部分2026年芯片供应，但无法满足市场需求，计划缩减零售市场出货量，集中资源投向企业级客户 [7] - 定价权预计将牢牢掌握在内存芯片制造商手中 [8]