行业核心观点 - 全球存储芯片市场已正式迈入新一轮成长周期，存储芯片进入新一轮涨价周期 [1] - 本轮涨价周期源于AI驱动下智能手机和服务器的双重需求共振，与前两轮由消费电子驱动的周期不同 [3] - AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期” [2] 价格与市场趋势 - 三星电子、SK海力士已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20% [1] - 2025年上半年，DRAM综合价格指数大幅上涨47.7%，NAND Flash综合价格指数上涨9.2% [2] - 进入10月份以来，512Gb Flash Wafer价格累计涨幅已超20% [2] - 摩根士丹利预计到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进 [2] - 美光预计HBM总潜在市场将在2028年达到1000亿美元，2025年为350亿美元，复合年增长率约40% [2] 需求驱动因素 - 供应方面，存储厂商加大HBM4产能投入导致HBM3E产能积压；需求方面，来自英伟达、谷歌、亚马逊等公司的订单量大幅增加 [1] - 当前，英伟达、亚马逊、谷歌和AMD四家公司占据了HBM需求的95% [3] - 国内阿里巴巴、百度、字节跳动、腾讯等科技巨头大力增加资本支出加码AI投入，进一步推高需求 [3] - iPhone在2025年完成存储容量升级后，其内存容量有望在2026年迎来再次升级，助推涨价周期延续 [3] - 美光2026年全年HBM的供应量已全部售罄 [2] 供应与产能动态 - SK海力士和美光已逐步将产能转向高带宽内存，导致其面向移动终端的LPDDR产能严重受限 [4] - 三星维持着通用型及移动终端专用DRAM的大规模生产，能够满足苹果超大批量、高稳定性供应需求 [4] - 在SK海力士重心转向HBM的情况下，三星成为唯一一家能够满足苹果严苛供货条件的供应商 [5] - 招商证券预计2026年DRAM和NAND资本开支分别同比增长14%和5%，但扩产次序优先AI高端存储，NAND类相对靠后 [2] - 美光预计2026年资本支出将达200亿元，用于支持HBM和1-gamma DRAM供应 [2] 技术演进与产品预测 - 从明年第三季度起，HBM4将快速承接HBM3E的需求，2025年HBM市场中HBM4营收占比将达55% [1] - 受专用芯片需求激增，以ASIC为主要客户的三星，2026年HBM总出货量将有望较2025年暴增3倍，预估将达111亿Gb [1] 主要公司动态与影响 - 苹果将扩大其iPhone存储芯片的三星采购占比，预计三星将供应iPhone 17中约60%至70%的低功耗DRAM [4] - 将更大比例的订单集中交给三星，有助于苹果获得更可预测的芯片交付，同时有望借助规模效应降低成本 [6] - 在前几代iPhone机型中，三星与SK海力士的供应份额更为均衡，美光以较小份额参与供货 [4]