文章核心观点 - 国内第三代半导体（碳化硅SiC与氮化镓GaN）行业呈现“IDM模式为主流，混合模式为补充”的格局，九家代表性上市公司根据自身实力与战略，采用了IDM、Fabless或两者结合的多元化运作模式[1][8][15] - 随着新能源汽车、数据中心等领域需求爆发，相关公司正加速产能扩张与工艺升级，技术研发实力、产能规模与供应链稳定性是未来模式落地与高质量发展的核心支撑[8][15] 主流运作模式：IDM主导 - IDM模式成为头部企业首选：覆盖设计、制造、封测全产业链，利于技术协同与品质管控，在研究的九家公司中有八家以IDM为核心运作基础[2][10] - 华润微：拥有全产业链能力，SiC JBS G3和SiC MOS G2已系列化量产，车规级SiC MOS和模块完成头部客户认证，12英寸平台支撑迭代[2][10] - 闻泰科技（安世半导体）：全球IDM龙头，1200V车规级SiC MOSFET已量产出货，650V GaN HEMT用于新能源车逆变器，汉堡与上海临港12英寸厂构建全球产能[2][10] - 士兰微：士兰明镓具备月产10,000片6英寸SiC MOSFET芯片产能，8英寸SiC产线预计2025年四季度通线，SiC器件已用于新能源车主驱，8英寸硅基GaN产线已通线[2][10] - 英诺赛科：全球首家大规模量产8英寸GaN晶圆的IDM企业，电压覆盖15V-1200V，车规级芯片在激光雷达、OBC场景交付增长128%，并首次在人形机器人领域实现GaN芯片量产出货[3][11] - 三安光电：构建SiC全产业链布局，湖南三安拥有6英寸SiC产能1.6万片/月，8英寸衬底及外延已小规模量产，与意法半导体的8英寸SiC合资项目加速推进[3][11] - 捷捷微电：以IDM模式为主，SiC肖特基二极管实现塑封量产，设计、制造、封测自主完成，部分产品委外流片以保障供应灵活性[3][11] - 芯联集成：国内首条8英寸SiC产线实现批量量产，工艺覆盖650V-3300V，产品在新能源车、光伏等领域批量交付，车规功率模块收入增长超200%[3][11] 混合与转型运作模式 - 扬杰科技采用“IDM为主+Fabless为辅”混合模式：自主建设6英寸SiC芯片产线并量产爬坡，同时与中芯绍兴、积塔半导体等代工厂合作保障产能，SiC MOS产品覆盖650V-1700V，车规级模块已完成多家客户送样验证[4][13] - 斯达半导正由Fabless向IDM转型，采用“Fabless+IDM双轮驱动”模式：芯片主要委托华虹半导体等代工，同时自建6英寸SiC芯片产线，形成年产6万片车规级SiC MOSFET芯片能力，SiC模块已在新能源车、光储等领域批量交付[5][13] 运作模式差异与行业适配性 - IDM模式适配头部企业：凭借全产业链掌控满足车规、工业级高可靠性需求，但需承担高额产能与研发投入，适合闻泰科技、三安光电等资金技术雄厚的企业[6][14] - 混合/转型模式适配中等规模企业：Fabless阶段可聚焦设计快速响应市场，IDM转型后逐步掌握核心工艺降低代工依赖，适合扬杰科技、斯达半导等企业突破高端市场[7][14] - 纯IDM企业的优势：技术协同与成本控制，例如英诺赛科3.0代工艺平台提升晶圆产出30%以上且良率超95%，华润微通过IDM实现产品快速迭代且性能对标国际一流[7][14] - 混合模式企业的优势：供应链协同拓展市场，例如扬杰科技通过“YJ+MCC”双品牌及代工厂产能快速响应海外需求，斯达半导通过自主产线与代工结合快速切入800V新能源车高压平台[7][14] 行业趋势与模式演进 - 当前格局：国内三代半行业呈“IDM为主流，混合模式为补充”的格局[8][15] - 产能扩张与工艺升级加速：IDM企业持续加码12英寸SiC/GaN产线（如闻泰科技临港12英寸厂、三安光电8英寸SiC项目），混合模式企业逐步提升自主产能占比以减少外部依赖，转型企业通过自建产线突破车规认证实现规模化量产[8][15]