技术突破 - 开发出热处理升降温速率达每秒1000摄氏度的“闪速退火”工艺，成功制备出晶圆级高性能储能薄膜 [1] - 利用该工艺可在1秒钟内于硅晶圆上制备出锆酸铅弛豫反铁电薄膜，将高温特殊结构“冻结”在室温，形成尺寸小于3纳米的纳米微畴 [1] - 工艺使薄膜“肌理”更致密均匀，有效锁住易挥发的铅元素，从根源减少材料缺陷，显著降低漏电流 [1] 产品性能 - 薄膜电容器在零下196摄氏度至400摄氏度的极端温度循环后，其储能密度和效率衰减微弱，低于3% [2] - 产品展现出卓越的环境适应性，能在极端环境下稳定工作 [2] 产业化前景 - 该工艺为下一代高性能储能电容器件的制造开辟新路径 [1] - 研究人员已能在2英寸硅晶圆上成功制备均匀高性能薄膜，为芯片级集成储能提供具备工业化潜力的解决方案 [2]