技术突破 - 首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在浙江晶瑞SuperSiC正式通线 实现晶体生长、加工到检测环节全线设备自主研发和100%国产化 [1] - 攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题 实现12英寸超大尺寸晶体生长技术突破并成功长出12英寸导电型碳化硅晶体 [1] 产业影响 - 碳化硅材料凭借高热导率和高工艺窗口 有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸 [1] - 碳化硅材料的高硬度和热稳定性支持刻蚀工艺引入 有效提升产能和良率 [1] 公司进展 - 晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进 迈入高效智造新阶段 [1] - 东吴证券维持对晶盛机电"买入"评级 [1]