核心技术突破 - 首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线 实现晶体生长 加工 检测环节全线设备自主研发和100%国产化 [1] - 攻克12英寸碳化硅晶体生长温场不均 晶体开裂等核心难题 实现12英寸导电型碳化硅晶体生长技术突破 [2] - 12英寸产品单片晶圆芯片产出量较8英寸增加约2.5倍 大幅降低长晶 加工 抛光环节单位成本 [1] 产业布局与产能建设 - 在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目 在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目 [2] - 在银川建设年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目 强化技术及规模优势 [2] - 半导体装备未完成合同超37亿元（含税） 截至2025年6月30日 [3] 市场拓展与客户进展 - 8英寸碳化硅衬底全球客户验证范围大幅提升 成功获取部分国际客户批量订单 [2] - 6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先 客户包括瀚天天成 东莞天域 芯联集成 士兰微等行业头部企业 [3] - 预计2031年中国碳化硅功率模块市场规模达40.8亿美元 年复合增长率20.0% [3] 战略意义与行业影响 - 形成12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环 彻底解决关键装备"卡脖子"风险 [1] - SiC材料广泛应用于新能源汽车 智能电网 5G通信 以及AR设备 CoWoS先进封装等新兴领域 [1] - 碳化硅设备产业化市场突破覆盖检测 离子注入 激活 氧化 减薄 退火等工艺环节 [3]