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GlobalFoundries Announces Production Release of 130CBIC SiGe Platform for High-Performance Smart Mobile, Communication and Industrial Applications

核心技术发布 - 公司发布行业首个130纳米互补BiCMOS(CBIC)平台 这是其迄今为止最高性能的硅锗技术[1] - 该平台NPN晶体管频率超过400 GHz ft/fmax PNP晶体管频率超过200 GHz 提供无与伦比的射频性能[2] - 技术采用低掩模数工艺 在提升射频性能的同时降低成本 适用于智能手机 无线基础设施 光网络 卫星通信和工业物联网等多个关键市场[2][3][4] 制造与应用优势 - 技术在佛蒙特州伯灵顿工厂开发制造 针对连接应用中的射频性能极限进行了优化[3] - 在智能手机领域 平台实现低噪声放大器 在保持超低噪声系数的同时降低电流消耗 有助于减少电池损耗[3] - 在数据中心 高性能PNP晶体管支持创新放大器拓扑 以更低功耗实现高速模拟和光网络的高增益带宽[3] - 平台支持超过100GHz的先进毫米波工业雷达应用 实现高分辨率传感和距离测量 且外形尺寸更小[3] 市场定位与客户支持 - 技术通过公司的GlobalShuttle多项目晶圆计划提供原型设计 2025年和2026年已安排 shuttle计划[4] - 射频参考设计可通过自助式GF Connect门户获取 以帮助加速设计进程[4] - 公司是全球重要的半导体制造商 为汽车 智能移动设备 物联网 通信基础设施等高增长市场提供更高能效的高性能产品[5]