技术突破 - 我国自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备通过验收并交付客户，打破国外技术垄断 [1] - 设备支持线宽小于10nm的纳米压印光刻工艺，超越国际巨头佳能同类产品FPA-1200NZ2C（支持14nm线宽）的水平 [1] - 配备自主研发的模板面型控制系统、纳米压印光刻胶喷墨算法系统等核心模块 [1] 应用领域 - 设备已完成存储芯片、硅基微显等多个领域的研发验证 [1] - 纳米压印技术特别适合存储芯片制造领域的重复性图形结构，为国内存储芯片厂商突破制程瓶颈提供新路径 [1] 成本优势 - 相比传统EUV光刻技术，纳米压印技术可降低60%的设备投资成本 [1] - 耗电量控制在EUV技术的10% [1]