财务数据关键指标变化:收入和利润(同比) - 公司2025年上半年营业收入为6.158亿元人民币,同比增长46.79%[20][21] - 公司实现营业收入6.16亿元,较上年同期增长46.79%[69] - 公司2025年上半年归属于上市公司股东的净利润为2758.14万元人民币,同比增长62.80%[21] - 归属于上市公司股东的净利润为2758.14万元,较上年同期增长62.80%[69] - 公司2025年上半年扣除非经常性损益后的净利润为972.70万元人民币,同比增长485.00%[21] - 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为972.70万元,较上年同期增长485.00%[69] - 公司2025年上半年基本每股收益为0.23元/股,同比增长27.78%[20] - 公司2025年上半年扣除非经常性损益后的基本每股收益为0.08元/股,同比增长300.00%[20] - 公司2025年上半年利润总额为2294.13万元人民币,同比增长86.38%[21] - 公司2025年上半年加权平均净资产收益率为0.95%,同比增加0.36个百分点[20] 财务数据关键指标变化:成本和费用(同比) - 公司2025年上半年研发投入占营业收入比例为6.86%,同比下降2.38个百分点[20] - 研发投入占营业收入比例为6.86%,同比下降2.38个百分点[95] - 2025年上半年研发费用为4223.04万元,较上年同期增长8.89%[71] - 公司研发投入总额为4223.04万元,同比增长8.89%[95] - 销售费用1173.34万元,同比增长95.94%[126] - 研发人员薪酬合计为1,838.08万元人民币,较上年同期的1,245.63万元人民币增长47.57%[103] - 研发人员平均薪酬为22.15万元人民币/人,较上年同期的18.05万元人民币/人增长22.71%[103] 各条业务线表现:产品收入 - 超级结MOSFET产品收入4.69亿元,同比增长40.36%[120] - 中低压屏蔽栅MOSFET产品收入1.18亿元,同比增长62.14%[120] - Tri-gate IGBT产品收入2066.61万元,同比增长88.62%[120] 各条业务线表现:产品技术进展 - 公司TGBT产品系列进入稳定量产交付阶段性能达到国际先进第七代IGBT芯片水平[38] - 公司SiC MOSFET SiC SBD已实现规模化量产性能指标对比同类型竞品优势明显[38] - 公司第四代SiC MOSFET产品技术平台完成研发同步推进高性能SiC JFET和GaN HEMT器件开发[38] - 公司超级结MOSFET产品关键技术指标达到与国际领先厂商可比水平[37] - 公司中低压屏蔽栅MOSFET产品关键技术指标达到国内外领先水平[38] - 公司功率模块在算力服务器电源车载OBC主驱电控及车载热管理系统等应用领域已逐步量产[39] - 公司超级结MOSFET产品涵盖550V-950V全系列,具有低导通电阻和低栅极电荷特性[61] - 公司中低压MOSFET产品涵盖25V-250V工作电压,应用于电机驱动和同步整流等领域[62] - 公司超级硅MOSFET产品性能对标氮化镓器件,适用于光伏逆变及储能、直流充电桩等高密度电源应用[63] - 公司IGBT产品具有大电流密度和低开关损耗特性,应用于新能源汽车直流充电桩、变频器等工业领域[58] - 公司功率模块采用塑封模块技术,提升功率密度和生产效率,应用于新能源汽车车载充电机和主驱电控等领域[58] - 公司SiC MOSFET/SBD产品具有高速开关和超低反向恢复电荷特性,应用于新能源汽车直流充电桩和高效服务器电源等领域[58] - 公司TGBT产品工作电压范围覆盖600V-1350V,工作电流覆盖15A-200A[64] - 公司TGBT高速系列开关频率可达100kHz,低导通压降系列可降至1.5V及以下,超低导通压降系列可达1.2V以下[64] - 公司第四代SiC MOSFET完成研发并进入小批量试产和终端验证阶段[65][72] - 超级结MOSFET在12英寸晶圆制造基地实现技术和产能显著扩容[83] - 第四代超级结MOSFET量产完成并贡献销售额增长[83] - 第五代超级结MOSFET小批量交付且性能国内领先[83] - 中低压屏蔽栅MOSFET 25V-150V全规格段产品性能优化[84] - 25V-80V高频系列单体器件性能国内领先[84] - 车规产品通过第三方考核并实现量产交付[84] - 功率模块在算力电源和车载电源领域持续稳定交付[83] - GaN产品系列扩充并积极推进客户验证[83] - 超级结MOSFET晶圆测试良率持续稳定在高水平[83] - 中低压屏蔽栅MOSFET技术处于国内领先水平[84] - 公司650V高速低功耗TGBT产品研发完成,预计下半年推出系列产品[86] - 650V高频TGBT与SiC续流管产品已大批量应用于新能源车载充电机领域[86] - 多款1200V TGBT产品批量交付工业电机及光伏逆变客户[86] - 90A Hybrid-FET产品批量应用,工作频率达100K以上,系统效率大幅提升[87] - 公司第二代、第三代650V和1200V平台SiC MOSFET产品进入稳定交付阶段,销量增长[88] - 公司率先推出1400V SiC系列产品并通过客户测试获得订单[88] - 650V/750V/1200V第四代SiC MOSFET研发成功,正推进客户验证[88] - 搭载SiC MOSFET芯片的塑封模块实现成倍功率密度增长,预计第三季度投放头部客户[89] - 公司第4代高电流密度超级结MOSFET平台量产交付推进,第5代少量交付中[90] - 12英寸平台比重增加以提升车规领域供应能力[90] - 第三代1200V IGBT产品开发完成,项目投入金额为19,400,000元人民币,累计投入8,628,115.28元人民币[99] - 新一代150V-200V SGT器件研发已经量产,项目投入金额为21,920,000元人民币,累计投入11,804,440.51元人民币[99] - 1200V SiC MOSFET完成流片并实现静态参数达标,项目投入金额为8,970,000元人民币,累计投入6,165,807.53元人民币[99] - 第六代超级结器件研发实验进展顺利,项目投入金额为16,050,000元人民币,累计投入1,283,422.43元人民币[99] - 人形机器人关节应用器件实现批量出货,项目投入金额为22,220,000元人民币,累计投入4,012,246.23元人民币[99] - 新一代算力中心专用650V SiC MOSFET已完成开发并进入客户测试导入阶段,项目投入金额为19,350,000元人民币,累计投入1,563,631.38元人民币[99] 各条业务线表现:应用领域收入 - 车规级和工业级领域营业收入占比约为84%[70] - 车规级及工业级应用收入占比约84%[121] - 车载充电机领域收入同比增长超90%,占比22%[121] - 光伏逆变器领域收入同比增长约98%,占比逾7%[121] - 公司SiC器件产品进入算力电源、基站电源、电动工具、新能源汽车车载充电机等领域并实现批量出货[55] 研发投入与知识产权 - 公司2025年上半年研发投入占营业收入比例为6.86%,同比下降2.38个百分点[20] - 研发投入占营业收入比例为6.86%,同比下降2.38个百分点[95] - 2025年上半年研发费用为4223.04万元,较上年同期增长8.89%[71] - 公司研发投入总额为4223.04万元,同比增长8.89%[95] - 研发人员数较上年同期增长20.29%[71] - 研发人员数量为83人,较上年同期的69人增长20.29%,占公司总人数的比例为35.62%[103] - 研发人员平均薪酬较上年同期增长22.71%[71] - 研发人员平均薪酬为22.15万元人民币/人,较上年同期的18.05万元人民币/人增长22.71%[103] - 新增知识产权申请13个,其中发明专利9个;新增授权8个,含境内发明专利2个及境外发明专利5个[92] - 累计发明专利申请数163个,获得授权62个[93] - 境外专利累计申请107个,获得81个[93] - 在研项目"12寸800V-950V超级结芯片扩展研发"总投资2836万元,累计投入1495.86万元[98] - 车规级第三代超级结器件研发项目总投资1303万元,累计投入1036.23万元[98] - 第三代650V高速IGBT研发项目总投资3271万元,累计投入1323.97万元[98] - 200V-300V超级结芯片研发项目总投资885万元,累计投入588.62万元[98] - 大功率超级硅器件扩展研发项目总投资67.6万元,累计投入41万元[98] - 公司研发总投入为252,967,000元人民币,其中本年投入金额为42,230,446.54元人民币,累计投入金额为97,411,660.17元人民币[101] 资产和负债变化 - 公司2025年上半年经营活动产生的现金流量净额为-1.834亿元人民币[21] - 货币资金减少50.19%至10.38亿元,占总资产比例降至33.29%[132] - 交易性金融资产激增1432.97%至9.20亿元,主要因购买理财产品增加[132] - 应收账款增长10.94%至1.81亿元,占总资产5.80%[132] - 公司应收账款账面价值为18,076.94万元[112] - 预付款项大幅上升43.71%至1379万元,因原材料采购增加[132] - 存货增长27.75%至4.61亿元,占总资产14.77%[132] - 公司存货账面价值为46,067.58万元[113] - 其他流动资产暴涨239.01%至1194万元,因预缴税款增加[132] - 短期借款激增987.81%至5178万元,因子公司经营贷款需求[133] - 交易性金融资产本期购买金额55.40亿元,出售/赎回金额46.82亿元[138] - 长期股权投资增加16.10%至1.80亿元,主要投资苏州智源微新基金[136] - 商誉新增1003万元,因收购苏州电征科技股权[133] - 私募基金投资总额1.25亿元人民币,报告期内新增投资额2500万元人民币[141] - 苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业投资额6000万元人民币,报告期利润影响389万元人民币,累计利润影响1216万元人民币[140] - 苏州智源微新创业投资企业投资额5000万元人民币,报告期亏损45.45万元人民币,累计亏损45.45万元人民币[141] - 苏州电征科技有限公司净资产为-1912.24万元人民币,报告期净利润亏损1172.96万元人民币[143] - 苏州德信芯片科技有限公司净资产4.48亿元人民币,报告期净利润亏损1832.60万元人民币[143] - 香港赛普锐思有限公司净资产37.98万港元,报告期净利润亏损0.02万港元[143] - 公司收购苏州电征科技以拓展功率模块领域,注册资本1100万元人民币[143] 非经常性损益 - 非经常性损益项目中政府补助金额为398.27万元[23] - 金融资产和金融负债公允价值变动及处置损益为1693.23万元[23] - 非经常性损益合计金额为1785.45万元(扣除所得税及少数股东影响后)[24] - 非流动性资产处置损益金额为9.87万元[23] - 其他营业外收支金额为2.23万元[24] - 所得税影响非经常性损益金额为314.25万元[24] - 少数股东权益影响非经常性损益金额为3.91万元[24] - 投资收益1121.49万元,同比增长102.13%[126][129] 毛利率和盈利能力 - 公司2025年上半年毛利率较上年同期增加2.14个百分点[22] 行业和市场趋势 - 2025年全球半导体市场规模预计达7009亿美元同比增长11.2%[29] - 2025年上半年全球半导体市场规模3460亿美元同比增长18.9%[29] - 公司属于功率半导体分立器件细分领域(行业代码C39)[27] - 全球数据中心装机容量预计2025年攀升至114.3GW比2005年21.4GW增长逾5倍[42] - 乐观假设下2024-2030年数据中心总装机量复合年增长率CAGR高达21%悲观假设下仍达8%[42] - 2024年全球服务器市场规模达到约1693.4亿美元预计2031年达2812.6亿美元2025-2031期间CAGR为7.4%[43] - 2024年全球AI服务器市场规模为1251亿美元预计2025年达1587亿美元2028年有望突破2227亿美元[43] - 2025年上半年中国新能源汽车销量达693.7万辆,同比增长40.3%,占汽车总销量比例44.3%[44] - 2025年车规级半导体市场规模预计达804亿美元,中国占216亿美元,功率半导体占比超30%[47] - 2025年1-6月全国充电基础设施增量328.2万个,同比上升99.2%,私人充电设施增量276.5万个同比增120.8%[47] - 截至2025年6月全国充电设施累计数量突破1,610万个,同比增长55.6%[47] - 2025年上半年中国光伏新增并网容量2.12亿千瓦,总装机容量达11亿千瓦同比增长54.1%[50] - 2024年底全国新型储能累计装机78.3GW/184.2GWh,同比增长126.5%/147.5%[51] - 2025年新型储能新增装机预计45GW左右,同比增长103%[51] - 截至2025年6月末中国5G基站总数达454.9万个,占移动基站总数35.7%[49] - 公司超级结MOSFET在数据中心服务器电源领域业务持续增长[54] - 公司中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT销售额与销售量同比显著增长[54] - 公司第二代和第三代650V及1200V平台多个SiC MOSFET产品进入稳定交付阶段,销量增长[55] 管理层讨论和指引:风险因素 - 晶圆供应商集中度高可能影响产品出货量及收入增长[106] - 晶圆价格持续上涨可能对主营业务成本及毛利率造成不利影响[106] - 功率半导体行业存在周期性波动风险受宏观经济及行业景气度影响[118] - 下游需求波动可能影响销售价格和数量包括新能源汽车及光伏逆变等领域[116][117] - 市场竞争激烈海外巨头占据主要市场份额如英飞凌安森美意法半导体等[109] - 国际贸易摩擦可能导致境外客户减少订单或供应商被限制供货[119] 管理层讨论和指引:公司治理与承诺 - 公司董事会及高级管理人员保证半年度报告内容真实、准确、完整,并承担法律责任[3] - 公司已在本报告中描述可能存在的风险,具体位于第三节管理层讨论与分析之风险因素部分[3] - 公司不存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况[6] - 公司不存在违反规定决策程序对外提供担保的情况[6] - 核心技术人员刘磊于2025年5月24日离职[146] - 公司半年度未拟定利润分配或资本公积金转增预案[146] - 实际控制人及相关股东股份限售承诺持续履行中,锁定期为上市之日起36个月[150] - 核心技术人刘磊及毛振东股份限售期包括上市后12个月内、离职后6个月内及首发前股份限售期满后4年内[151] - 共同实际控制人王鹏飞、龚轶及其一致行动人卢万松、王绍泽股份限售期为锁定期满后两年内[151][153] - 持股5%以上股东原点创投及中新创投股份限售期为锁定期满后两年内[151] - 股东聚源聚芯、智禹博信、智禹淼森、智禹东微及智禹博弘股份限售期为锁定期满后两年内[151] - 哈勃投资股份限售期为锁定期满后两年内[151] - 公司股东苏州高维及得数聚才间接持股股份限售期为锁定期满后两年内[152] - 公司其他董事、高级管理人员李麟股份限售期为锁定期满后两年内[152] - 公司股份限售承诺期限为上市后三年内[152] - 公司实际控制人、董事、高级管理人员股份流通限制承诺为长期有效[152][153] - 公司全体董事、监事、高级管理人员及核心技术人员股份锁定承诺为长期有效[152] - 公司首次公开发行股票上市后36个月内不转让或委托他人管理首发前股份[160] - 上市后6个月内若股价连续20个交易日低于发行价则锁定期自动延长6个月[160][161][163] - 董事/监事/高级管理人员任职期间每年转让股份不超过持股总数25%[161][165] - 核心技术人员自上市起12个月内及离职后6个月内不转让首发前股份[165] - 核心技术人员限售期满后4年内每年转让首发前股份不超过上市时持股25%[165] - 锁定期满后两年内减持价格不低于发行价(除权除息调整后)[161][163][166][168] - 通过集中竞价交易减持需提前15个交易日披露减持计划[166][168] - 未履行减持承诺时6个月内
东微半导(688261) - 2025 Q2 - 季度财报