行业与公司 * 行业：全球半导体存储设备行业，核心为NAND闪存与DRAM（包括HBM）[1] * 公司：主要涉及海外厂商海力士、三星，以及中国大陆厂商长江存储（YMTC）、长鑫存储（CXMT），并提及国内半导体设备公司[1][5] 核心观点与论据 市场趋势与需求 * 主要趋势是价格上涨，由AI需求驱动，预计持续到2027年[2] * 企业级SSD需求强劲，复合增长率预计达25%-30%，约每三四年翻一倍[1][3] * 因AI需求转移产能，全球NAND闪存产能减少15%-20%（约20万片），当前产能约140万片，其中40%-50%（约670万片）用于企业级SSD[3] * 未来NAND闪存需求量可能增至两三百万片[1][3] 海外厂商动态 * 海力士和三星资本支出集中于扩展AI相关HBM和DRAM产能[1][5] 中国大陆厂商现状与规划 * 长江存储（NAND）： * 当前产能约15万片，占全球10%[5] * 市占率：手机端约20%，消费级SSD不足10%，企业级SSD低于5%[1][5] * 增长点在于提升手机、消费级及企业级SSD市场份额[1][5] * 计划产能翻倍以达到全球20%份额，并新增30万片产能应对AI需求[1][6] * 长鑫存储（DRAM）： * 全球DRAM产能约200万片，其中服务器需求占比近30%，AI服务器占15%-20%[1][5] * 产品以传统DDR为主，手机端市占率近20%，PC端不到10%[5] * 增长点在于提升传统消费级产品市占率，并突破HBM等新兴领域[1][5] * 计划通过提升传统消费品市占率及布局HBM实现翻倍增长[6] 技术差距与关键节点 * 长江存储与海外顶尖厂商技术差距缩小至一代左右，预计2026年量产300层产品（海外布局400层）[1][8] * 长鑫存储在HBM3阶段与海外（即将进入HBM4/HBM4E）差距约两代，2026年是其HBM实现0到1突破的关键节点[8] * 长鑫存储在传统DDR领域最新工艺约16纳米，与海外相差两三个代系[8] * 长期技术变革：3D DRAM将降低对光刻机依赖，增加对薄膜沉积及刻蚀设备需求，为国内厂商提供弯道超车机会，预计2028-2030年产业化爆发[4][8] 半导体设备国产化 * 国内头部半导体设备公司收入复合增速达40%-50%以上[4][9] * 国产化率：NAND领域最高；DRAM领域设备国产化率约30%；先进逻辑制程（7纳米及以下）国产化率较低但有提升空间[4][9] * 受益于逻辑制程和成熟逻辑产线（如28纳米以上）的快速国产化提升[9] 行业挑战、机遇与周期 * 工艺迭代带来“工艺通胀”：技术升级（如NAND从200层向300/400/500层迭代）需要更高密度资本开支，每万片投资额增长约30%；DRAM向HBM过渡需增加TSV及后端封测产能，单万片投资大幅增加[10][11] * 堆叠层数增加导致薄膜沉积、刻蚀等设备需求显著增长[10][11] * 当前重点关注原因： 1. 下游客户（如长江存储、长鑫存储）自身成长与份额提升[12] 2. 技术迭代带来的单位设备开支密度增长（通胀逻辑）[12] 3. DRAM和先进逻辑制程等领域仍有巨大国产化替代空间[12] 4. 产业趋势加速：扩产进程可能从五年缩短至三四年[14] 5. 2026年是两大存储厂商新工艺/产品技术迭代的关键节点[14] 6. 下游市场高景气度推动产业链发展[14] 其他重要内容 * 值得关注的半导体设备公司： * 存储场口比例较高（约60%以上）：拓荆科技、维导纳米、中微公司[15] * 存储场口比例较低（约30%-40%）：北方华创、华海清科、中科飞测、精测电子[15]