全球半导体:尽管三星扩大普通 DRAM 产能,供应短缺仍将持续-Global Semiconductors-Supply Shortage to Persist despite Samsung’s Commodity DRAM Expansion
2025-12-03 02:16

涉及的公司与行业 * 公司:三星电子 (Samsung Electronics, 005930 KS) [1][2][8] * 行业:全球半导体行业,特别是存储芯片(DRAM、HBM、NAND)[1][4][9] 核心观点与论据:产能重新分配与市场影响 * 媒体报道三星电子计划将1anm工艺节点上30-40%的HBM3E产能重新分配给用于生产传统DRAM(如DDR5, LPDDR5X, GDDR7)的1bnm产能 [2] * 产能转换的主要驱动力是传统DRAM的盈利能力,预计其利润率已超过60%,而HBM3E价格预计明年将下降超过30% [2] * 报告分析认为,三星会优先将1znm及以下的旧工艺节点迁移至1bnm,而非直接转换当前用于HBM3E 12-Hi生产的1anm产能,仅在确有需要时才会动用后者 [3] * 若按报道进行产能转换,考虑到HBM与DRAM的产能转换比例为1:3,三星的传统DRAM产能将从530kwpm增加至610kwpm,增幅达15%,但完整的转换过程需时约9个月,实际比特增长将较低 [3] 其他重要内容:供需前景与风险 * 由于三星专注于扩大传统DRAM供应,预计传统DRAM的价格增长将在2026年下半年趋于缓和 [1][4] * 另一方面,HBM的供应短缺问题可能再次出现,但整体存储芯片短缺状况将持续,主要受AI推理需求的结构性增长驱动 [1][6] * 报告为三星电子设定的12个月目标股价为170,000韩元,基于2026年预估EBITDA的分类加总估值法得出 [8] * 下行风险包括:向关键客户的HBM发货审批延迟时间超预期、PC销售弱于预期导致NAND需求不及预期、竞争对手在存储芯片/晶圆代工领域的激进投资对价格产生负面影响、手机市场竞争加剧压缩三星手机业务利润率、韩元大幅升值影响公司收益 [9]