行业与公司 行业涉及功率半导体 特别是碳化硅(SiC)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场 主要公司包括英飞凌(Infineon)、罗姆(Rohm)、安森美(Onsemi)、意法半导体(STM)、Wolfspeed、瑞萨(Renesas)以及DISCO 中国参与者包括比亚迪半导体、华为、斯达半导、士兰微等[1][2][3][4] SiC市场核心观点与论据 * SiC需求预计5年内增长4倍 从2025年到2030年渗透率从19%升至49% 主要受800V平台普及和成本下降驱动[2][8][14] * SiC器件成本未来5年下降30% 因8英寸晶圆良率提升和衬底价格持续下降 衬底成本占器件总成本40-55%[2][16][19] * xEV是SiC最大应用领域 贡献64.5%需求 2030年需求达4,536 kwpy(6英寸等效)[8][9][14] * 太阳能领域SiC渗透率从2024年42%升至2030年70% 需求达124 kwpy[10] * 全球SiC需求2030年达6,105 kwpy 2024-2030年复合年增长率35.6%[8][11][12] * 供应端中国厂商积极扩张衬底产能 但全球厂商如Wolfspeed、瑞萨、英飞暂缓前端产能扩张[2][33][34] * 前端产能利用率从2024年50%升至2028年76% 供需关系3年内显著改善[2][42][43] * 海外供应商继续主导SiC市场 CR5从2020年73%升至2024年81% 中国厂商技术仍落后[2][47][53] IGBT市场核心观点与论据 * 全球IGBT市场从2024年68亿美元增长至2030年83亿美元 复合年增长率3%[3][62][64] * 中国占全球IGBT市场40% 2024年市场规模24亿美元[3][73][74] * 中国厂商在模块组装市场份额从18%升至38% 在裸片市场份额从13%升至33% 预计2030年将分别达到65%和68%[3][79][80] * 海外供应商中国IGBT收入以-5%复合年增长率下降 但凭借高端市场优势和高海外市场增长 全球收入保持平稳(0.4%复合年增长率)[3][80][83] * 模块市场增长4.4% 离散市场停滞(1%复合年增长率) 因中国厂商产能扩张和价格竞争[63] * IGBT在xEV中仍占主导 2030年价值渗透率29%[62][68][69] 其他重要内容 * 英飞凌因技术领先、外部衬底供应和马来西亚低成本制造被看好[4][48] * 瑞萨通过持有Wolfspeed 35%股权间接受益SiC增长 股权价值约4亿美元[4][56] * DISCO作为SiC研磨/切割设备主要供应商 SiC收入曾占总收入20% 若产能扩张重启将显著受益[4][55] * SiC用于先进封装的潜力可能进一步放大市场增长[4][57] * 每5% SiC渗透率增长带来9.8%需求增长 每2% EV渗透率下降导致4.1%需求下降[18] * 海外供应商IGBT产品在效率和稳定性上仍具优势 尤其在太阳能串式逆变器领域(占市场40%)[80][82][92]