公司产品发布 - 公司于10月13日宣布推出专为英伟达800 VDC AI工厂架构设计的新型功率半导体产品 [1] - 新产品组合包括新的100 V GaN FET、650 V GaN以及高压SiC器件 [1] - 新产品旨在实现突破性效率、增强的性能和功率密度 [1] 产品技术特点 - 新的100 V GaN FET产品组合提供卓越的效率、功率密度和热性能 [2] - 650 V GaN产品组合具有高功率GaN FET和GaNSafe功率IC，集成了驱动、控制、传感和保护功能 [2] 行业应用与协同 - 英伟达的800 VDC架构是为AI工厂量身定制的新型配电系统，可处理大规模、高性能AI工作负载 [2] - 该配电系统直接为IT机架供电，以驱动英伟达Rubin Ultra等基础设施 [2] - 公司的新产品支持英伟达将其AI工厂转向800 VDC [2] 公司业务定位 - 公司是一家功率半导体公司，设计氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）集成电路及器件 [3]

产品发布与战略定位 - 公司发布专为英伟达800 VDC AI工厂架构设计的新款100 V GaN FET、650 V GaN以及高压SiC器件，旨在实现突破性的效率、功率密度和性能 [1][22] - 作为纯宽禁带功率半导体公司，公司提供从电网到GPU的AI数据中心全阶段高效、高功率密度电源转换方案 [7] - 公司正经历由GaN和SiC技术融合驱动的根本性转型，业务重点从移动领域扩展至AI工厂、智能能源基础设施和工业平台的兆瓦级需求 [13] 技术规格与产品优势 - 新款100V GaN FET产品组合在先进双面冷却封装中提供卓越效率、功率密度和热性能，特别针对GPU电源板上的低压DC-DC阶段进行优化 [8] - 650V GaN产品组合包括新款大功率GaN FET和先进的GaNSafe™功率IC，集成控制、驱动、传感和内置保护功能，确保卓越的鲁棒性和可靠性 [10] - GaNSafe™平台具备超快短路保护（最快350纳秒响应）、所有引脚2 kV ESD保护、无需负栅极驱动和可编程压摆率控制，仅需4引脚控制 [11] - GeneSiC™采用专有“沟槽辅助平面”技术，在650 V至6,500 V的宽电压范围内提供卓越性能，已应用于多个兆瓦级储能和并网逆变器项目 [12] 市场背景与技术需求 - AI工厂作为专为大规模同步AI和高性能计算工作负载设计的新型数据中心，对电源架构提出新要求，传统依赖54V机架内供电的架构已无法满足兆瓦级机架密度需求 [3] - 800 VDC配电架构通过固态变压器和工业级整流器，实现从13.8 kVAC市电到800 VDC的直接转换，消除多个传统AC/DC和DC/DC转换阶段，最大化能效并提高系统可靠性 [4][5] - 800 VDC架构直接为IT机架供电，并通过两个高效DC-DC阶段（800 VDC至54 V/12 VDC，再至GPU负载点电压）为英伟达Rubin Ultra平台等先进基础设施供电 [5] 制造合作与产业影响 - 高效率100V GaN FET通过与Power Chip的新战略合作伙伴关系，在200mm GaN-on-Si工艺上制造，实现可扩展的大批量生产 [9] - 800 VDC架构与IEC的低压DC分类（≤1,500 VDC）全球对齐，通过减少电阻损耗和铜使用来提高效率，并提供高度紧凑的解决方案以实现兆瓦级机架功率的可扩展基础设施 [16]