公司与技术里程碑 - 领先的先进内存技术开发商和授权商Weebit Nano Limited已成功完成其嵌入式阻变随机存取存储器模块测试芯片的流片，该芯片在onsemi位于纽约East Fishkill的300毫米生产工厂制造 [1] - 测试芯片在onsemi的Treo平台上开发，该平台是一个65纳米双极-CMOS-DMOS工艺 [1] - 此次流片标志着在onsemi的Treo™平台上实现Weebit ReRAM知识产权的一个关键里程碑 [2] 技术与产品优势 - 对于基于Treo平台的设计，Weebit ReRAM提供了一种超低功耗、高密度的非易失性存储器，能够解锁新的智能和功能水平 [2] - 该公司的阻变随机存取存储器技术旨在满足人工智能、物联网、可穿戴设备、汽车、工业自动化、机器人、神经形态计算等领域对更高性能和更低功耗内存解决方案日益增长的需求 [3] - 与现有的闪存解决方案相比，Weebit ReRAM使半导体存储元件速度显著更快、成本更低、更可靠且更节能 [3] - 该技术基于晶圆厂友好的材料，无需特殊设备或大量投资，即可快速、轻松地与现有流程和工艺集成 [3] 合作进展与后续计划 - onsemi的下一代产品预计将采用这一突破性存储技术 [2] - 测试芯片将用于预期批量生产前的最终测试和认证 [2] - 公司首席执行官表示，与onsemi的合作进展迅速，此次成功流片标志着将Weebit ReRAM技术转移到onsemi先进BCD工艺的技术转让完成过程中的一个重要里程碑 [3] - 公司已使用onsemi的工具和流程在多个晶圆批次上验证了其技术，优化了工艺并展示了坚实的性能和可靠性，目前正在向认证阶段推进 [3]