新产品发布 - 公司推出首款专为宽禁带化合物半导体制造设计的Ultra ECDP电化学去镀设备 具备晶圆级金蚀刻功能 可提升均匀性并减少底切[1] - 设备支持金凸块去除、薄膜金蚀刻和深孔金去镀等工艺 集成预湿和清洗腔室 采用多阳极电化学技术实现最小化侧蚀和优异表面处理[2] - 设备兼容6英寸和8英寸平台 支持150毫米、159毫米及200毫米晶圆尺寸 配置双开放式卡匣和真空机械臂以适应不同制造环境[4] 技术特性 - 采用模块化设计 可在单一平台集成镀膜和去镀工艺 运用多阳极技术实现分区控制 水平全表面去镀技术防止交叉污染[3] - 通过精确化学循环系统实现所有特征结构的卓越均匀性 显著改善金线外观表现[1][2] 市场背景与应用 - 化合物半导体市场受电动汽车、5G/6G通信、射频及人工智能应用驱动持续增长[3] - 金材料因高导电性、耐腐蚀性和延展性成为优势材料 但存在蚀刻和镀膜工艺挑战[3] - 设备针对碳化硅、砷化镓、磷酸锂等不同衬底的物理特性（重量、应力、厚度）进行优化设计[3] 公司定位 - 公司专注于半导体湿法处理设备领域 产品覆盖清洗、电镀、无应力抛光、垂直炉管及先进封装等工艺环节[6] - 致力于为半导体制造商提供定制化、高性能且成本效益优化的工艺解决方案 以提升生产效率和产品良率[6]