核心观点 - 华为一项待审专利展示了利用深紫外光刻技术实现媲美2纳米制程的先进图案化能力 这可能意味着公司在突破美国制裁限制、发展先进芯片制造技术方面取得潜在进展 [1][2] 专利技术细节 - 专利涉及一种金属集成技术 允许使用深紫外光刻技术集成“金属间距低于21纳米”的狭窄金属结构 这是2纳米级芯片所需的关键特征 [2] - 该技术方案提供了一条使用较旧的深紫外光刻技术支持2纳米制程的技术路径 旨在绕过美国制裁 该制裁阻碍了中国获得ASML最先进的极紫外光刻工具 [2] - 技术方案采用了自对准四重图案化的一种变体 使用先进的“间隔层定义图案化”方案和双硬掩模材料 以创建两组交织的金属线 从而减少对超高精度光刻套刻精度的依赖 [6] 专利状态与行业影响 - 该专利目前处于待审状态 由华为于2022年6月提交 并于今年1月由中国国家知识产权局公开 尚无证据表明该专利已投入使用 [3] - 该专利引起了行业关注 因为它开启了克服关键障碍、以匹配台积电2纳米制程的可能性 台积电的2纳米制程被认为是全球最先进的 尽管该技术尚未用于大规模生产 [5] - 先进光刻技术是高端芯片制造的关键 由于美国限制 中国在获取ASML顶级深紫外和极紫外光刻系统方面受阻 这已成为其发展野心的瓶颈 [6] 相关背景与公司动态 - 在关于中国技术突破的讨论日益增多之际 一位中国芯片行业资深人士认为 通过集成先进存储器和新颖架构 14纳米逻辑芯片的性能可以媲美英伟达的4纳米芯片 [4] - 华为在去年11月公布了一系列发明 旨在提高人工智能训练效率 并构建具有更高容量和性能的下一代存储芯片 [5] - 华为拒绝对该专利发表评论 [4]