核心采购计划概览 - 多个科研项目近期集中发布了24项高端仪器设备的政府采购意向，总预算金额高达2.19亿元人民币 [1][2] - 所有设备的预计采购时间均为2025年12月 [2] - 采购清单覆盖了从薄膜沉积、刻蚀、抛光到材料生长、转移、表征等半导体及先进材料研发的全链条关键工艺设备 [2] 薄膜沉积与生长设备采购意向 - 原子层沉积（ALD）设备：预算750万元，要求具备热法和等离子体增强两种沉积方式，可处理8英寸晶圆，片内厚度均匀性需小于5% [4] - 等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备：预算350万元，要求低温沉积（<400°C）且具备高沉积速率 [5] - 金属分子束外延（MBE）系统：预算1450万元，要求超高真空度（≤10⁻¹⁰ Torr），衬底温度精确可调（10-400℃），并配备预处理腔 [5] - 金属电子束蒸镀系统：预算600万元，要求超长工作距离（≥60cm），用于二维材料器件电极制备 [5] - 离子束沉积设备：预算900万元，要求本底真空达1x10⁻¹⁰ mbar，兼容8英寸晶圆，温度范围从室温至900℃ [5] - 超高真空原子层沉积设备：预算610万元，要求本底真空≤1x10⁻⁹ mbar，兼容8英寸至2英寸晶圆，用于高质量绝缘材料及金属薄膜沉积 [5] - 磁控溅射设备：预算145万元，要求8英寸范围内薄膜均匀性小于5%，用于半导体器件金属互联与功能层制备 [6] - 热壁MOCVD系统（8英寸）：预算800万元，最高加热温度1100℃，用于Mo、W等体系二维半导体的可控制备 [7] - 冷壁MOCVD系统（8英寸，MoS₂）：预算1600万元，要求单晶覆盖率大于99%，载流子迁移率大于150 cm²V⁻¹s⁻¹ [7] - 冷壁MOCVD系统（8英寸，WSe₂）：预算1600万元，要求单晶覆盖率大于99%，用于P型二维材料的生长工艺探索 [7][8] 刻蚀与抛光设备采购意向 - 感应耦合等离子刻蚀（ICP）设备：预算700万元，要求最大可容纳200mm晶圆，片内均匀性小于2% [5][6] - 等离子刻蚀设备：预算550万元，要求优异的刻蚀均匀性（片内<8%，片间<5%） [5] - 原子层刻蚀（ALE）设备：预算750万元，要求刻蚀精度小于1nm/循环，最大可加工200mm晶圆，均匀度小于±2% [6] - 化学机械抛光（CMP）系统：预算550万元，用于8英寸晶圆表面平坦化，要求不均匀性小于5%，表面粗糙度≤0.4nm [6] 表面处理与辅助工艺设备采购意向 - 远程等离子体表面处理机：预算450万元，用于材料表面清洗、活化与钝化，要求低损伤，特别针对二维材料器件表面残胶去除 [4][5] - 衬底钝化设备：预算100万元，用于8英寸晶圆表面实现稀土氧化物单分子层均匀钝化，不均匀性要求小于2% [7] - 衬底退火设备：预算150万元，最高退火温度1150℃，单次处理能力25片，用于原子级平整表面构筑 [7] - 真空管道与传输系统：预算3950万元，要求本底真空度≤5E-10 Torr，为样品在不同工艺腔体间提供超高真空传输通道 [7] - 真空团簇腔体：采购6套，总预算2550万元，要求真空度达10⁻¹⁰ Torr量级，机械手定位精度0.2毫米，用于不同表征设备间的样品无缝传输 [7] - 二维材料真空转移设备（8英寸）：预算600万元，要求实现8英寸晶圆无损低污染转移，转移完整率大于99.99% [8] 材料表征与分析设备采购意向 - 低能电子衍射（LEED）仪：预算50万元，电子能量范围5750 eV，用于快速表征二维材料单晶性质及晶体取向 [6] - 原子力显微镜（AFM）：预算270万元，支持8英寸晶圆自动多点快速扫描，用于二维材料及器件的高分辨形貌表征 [6] - 超高真空低温扫描探针显微镜（SPM）：预算1200万元，工作温度5300 K，温度稳定性要求±5mK [6] - 扫描隧道显微镜（STM）：预算1200万元，要求工作在超高真空、极低温（1.8K-300K）、强磁场(8T)条件下，实现原子级分辨率(1Å)表征 [6][7]