技术突破 - 三星电子先进技术研究院的研究人员在全球范围内首次发现一种核心机制，利用铁电材料可将现有NAND闪存的功耗降低高达96% [2][4] - 该研究成果以论文形式发表在著名学术期刊《自然》上，由三星电子先进技术研究院和半导体研究所的34位研究人员共同撰写 [4] - 研究证实，通过结合铁电材料和氧化物半导体材料的NAND闪存结构，在单元串操作中，功耗最多可降低96% [4] 技术原理与行业挑战 - 现有NAND闪存通过向存储单元注入电子来存储数据，为增加容量必须增加堆叠层数 [4] - 由于NAND闪存单元串联的结构特性，信号需依次通过串联单元传输，堆叠层增加导致所需电压升高，进而使读写功耗增加 [4] - 下一代NAND闪存研究利用铁电材料特性，该材料可通过自发改变极化来存储信息，无需向单元注入电子，但容量增加与功耗降低之间的权衡关系此前未得到解决 [4] 研究意义 - 该研究代表一项基础性技术，有望为解决人工智能时代的电力危机做出贡献 [2][4] - 此项研究是三星电子先进技术研究院和半导体研究所34位研究人员的独立研发成果 [4]