长鑫存储技术突破 - 在第二十二届中国国际半导体博览会上发布DDR5产品系列，最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并推出七大模组覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域[1][2] - 同台展出LPDDR5X产品，最高速率10667Mbps，最高颗粒容量16Gb，涵盖12GB、16GB、24GB、32GB等多种封装解决方案，针对移动市场旗舰产品[1][2] - 公司通过DDR与LPDDR双线创新突破，进一步丰富全球存储芯片供给，为下游客户创造多元价值选择[2] - LPDDR5X产品速率覆盖8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，8533Mbps和9600Mbps速率产品已于今年5月量产，10667Mbps速率产品已启动客户送样[3] 存储芯片价格走势 - DDR5（16Gb）现货平均价格从9月底的7.676美元升至11月7日的20.938美元，主要存储原厂陆续暂停DDR5合约报价[4] - DDR4（8Gb）和NAND（128Gb MLC）的合约平均价格在9月环比上涨11%[4] - 闪迪在11月将NAND Flash合约价上调50%，预测NAND供不应求趋势或将持续到2026年年底[6] - 三星电子11月大幅上调部分存储芯片价格，较9月份涨幅最高达60%[6] - 交银国际维持存储价格坚挺判断，预计DRAM强劲价格至少延续至2026年三季度，NAND价格保持强劲到至少2026年三季度[6] 行业供需动态 - 头部存储厂商通过主动调控供应扭转供过于求局面，提升盈利能力，同时AI对储存容量需求急速攀升，存储厂商将更多产能转向更高阶工艺，挤压传统消费级存储产能[7] - 三星电子将今年NAND晶圆产量目标下调至约472万片，较去年507万片减少约7%，铠侠将年产量从去年480万片调减至469万片，SK海力士NAND产量从去年约201万片降至约180万片，降幅约10%，美光将新加坡Fab 7工厂产量维持在约30万片较低水平[7] - 闪迪指出NAND需求显著超过供应，自2025年起已显现，预计持续贯穿整个2026年日历年，可能延续至2027年及以后，2026年数据中心市场位元需求预计同比增长40%以上[8]