点击 最 下方 "在看"和" "并分享，"关注"材料汇 添加 小编微信 ，遇见 志同道合 的你 正文 内容摘要 综述了光刻技术从 20 世纪 50 年代平面工艺到 21 世纪 极紫外光刻（ EUVL ） 的发展历程 重点 解析了 深紫外光刻（ DUVL ） 、 电子束光刻（ EBL ） 、 纳米压印光刻（ NIL ） 等传统与新型技术的核心参数 （如 EUVL 的 13.5nm 波长、 5nm 及以下工艺节点） 详解了 光刻胶的核心成分（成膜树脂、光引发剂等）、分类（正性 / 负性、化学放大 / 非化学放大） 及 分子玻璃光刻胶 、 量子点光刻胶 等特殊类型 ， 分析了 光刻技术与光刻胶的性能优化策略（如提高分辨率、机械性能） ，指出当前 面临的分辨率极限、成本高昂及环境影响 三大挑战， 并展望了 跨学科合作 、 智能化光刻 和 多功能集成 的未来方向，其中 EUVL 已在 2019 年实现大规模应用，成为先进半导体制造的核心技术。 文章思维导图 （旋转 90 °阅读） | :4 农需员芯翁型高主勤IA 网郑w | | | --- | --- | | ：星际本 ○ 木克に天子 备到基 | 翅去一郎ぼ←共同←湯 ...