全球功率半导体行业格局变化 - 功率半导体行业热度被AI芯片、HBM和先进封装等新兴赛道覆盖，日本厂商扩产进程延迟，国内产业加速突围[4] - 日本政府目标在2030年前将全球功率半导体市占率从20%提升至40%，但实际进展远不及预期[10] - 2024年全球功率半导体市场TOP10中日本厂商仅剩三菱电机、富士电机和东芝三席，各家市占率均不足5%[11][12] 日本主要厂商发展困境 罗姆 - 2025财年录得500亿日元净亏损（12年来首次全年亏损），第一季度营收1162.05亿日元（同比下降1.8%），营业利润大幅下降84.6%至1.95亿日元[15] - 将碳化硅半导体投资计划从2800亿日元缩减至1500亿日元，2025财年资本支出下降36%至850亿日元[15] - 第六代SiC产品上市时间从2028年提前至2027年，但承认中国制造商在SiC基板功能方面已达顶级水平[16] 东芝 - 与罗姆的深度合作陷入停滞，共同制造外的合作谈判已被放弃[19] - 2023年计划三年投资1000亿日元，但电动汽车需求半停滞导致投资回报不及预期[19] - 与天岳先进签署谅解备忘录，探讨提升SiC晶圆特性和质量[20] 瑞萨电子 - 2025年上半年净亏损1753亿日元（创同期历史记录），宣布放弃进入碳化硅市场[21] - 因Wolfspeed破产面临20亿美元预付款损失风险，制造设施产能利用率仅约30%[23] - 解散碳化硅产品团队，取消群马县高崎工厂量产计划[23] 三菱电机 - 推迟熊本县功率半导体新工厂扩建计划，考虑缩减原定3000亿日元的五年投资额[26] - 曾计划5年内投资1000亿日元建设8英寸SiC工厂，目标使SiC销售额占比提升至30%以上[25] 富士电机 - 2025会计年度净利预计下降12.2%至810亿日元，半导体设备营收下降5.8%，营益锐减42%至215亿日元[28] - 欧美品牌在中国市场降价超30%，比亚迪半导体等国产厂商在新能源汽车IGBT市场份额从2019年20%跃升至2023年60%以上[29] 日本产业衰退原因分析 - 企业内部缺乏信任与协作，对专有技术过度保护导致整合困难[32] - 行业缺乏主导整合的龙头企业，各企业战略差异显著（如罗姆专注元件与东芝多元化战略冲突）[33] - 中国企业凭借低廉能源成本和庞大国内市场快速崛起，在SiC基板市场已形成主导力[34][36] - 日本电动汽车普及滞后于中国和欧洲，导致面向EV的芯片产能扩张计划受挫[34] 中国功率半导体产业崛起 - 天科合达以17.3%市场份额位居全球SiC衬底第二，天岳先进以17.1%份额位列第三并实现8英寸量产[37] - 英诺赛科以33.7%收入份额稳居全球GaN功率器件市场第一，市值突破740亿港元[39] - 国际大厂深度绑定中国供应链：英飞凌SiC衬底采购量两位数来自天科合达和天岳先进，意法半导体与三安光电合资建厂[38] - 中国企业技术差距快速缩小，在硅芯片技术上仅落后日本1-2年，碳化硅芯片至多落后3年[37][40]