半导体材料研究突破 - 二维硒化铟（InSe）具有低有效质量、高热速度和卓越的电子迁移率，有望超越硅电子器件，但生长薄膜性能尚未达到机械剥离法制备的微米级薄片的水平，制约了其规模化应用[2] - 研究团队开发了一种固-液-固生长策略，通过构建富铟液态界面并严格控制铟硒1:1化学计量比，成功将非晶态硒化铟薄膜转化为纯相高结晶度硒化铟晶圆[4] - 所获得的硒化铟薄膜在5厘米晶圆上展现出优异的均匀性、相态纯度与结晶度[4] 电学性能表现 - 基于该技术制备的硒化铟晶圆晶体管阵列表现出超越现有二维薄膜器件的电学性能[4] - 在室温条件下展现出极高迁移率，平均高达287 cm²/Vs[4] - 亚阈值摆幅低至67.3 mV/dec，接近玻尔兹曼极限[4] 应用前景 - 该研究解决了2D硒化铟晶圆制备的核心难题[5] - 为后硅基时代集成电路提供了高性能材料平台[5] - 有望推动下一代低功耗、高性能计算与通信芯片发展[5]