荷兰芯片设备出口管制,详细要求
阿斯麦控股阿斯麦控股(US:ASML) 半导体行业观察·2025-03-04 00:53

荷兰新版半导体设备出口管制条例核心内容 - 荷兰政府于2025年4月1日起实施新版先进半导体制造设备出口管制条例,扩大了对特定技术和商品的出口许可要求,旨在防范军事用途并纳入最新的技术见解 [1][2][3] - 此次条例更新明确了立法基础,并修改了附录以提高准确性,其管制范围仅涵盖有限的技术和商品,涉及荷兰极少数公司的部分产品组合 [1][3][16][17] - 条例的制定基于对公共安全及国际和平稳定的考量,认为相关设备的不受控出口可能构成风险,出口许可要求被视为一种相称的措施 [13][14] 管制条例出台的背景与关联事件 - 荷兰此次扩大出口管制与美国在同日宣布的新措施相呼应,旨在防止中国获取可用于军事活动的半导体生产设备,且荷兰更新的条款中采用了美国的措辞 [3] - 在美国的压力下,荷兰政府此前已禁止ASML向中国出口最先进的EUV设备,并从2023年9月开始对NXT:2000系列及更好的DUV设备要求出口许可,美国于2023年10月单方面限制ASML 1970i和1980i工具的出货 [4] - ASML已提前警告中国客户,从2024年起不再预期交付1970i和1980i型号的深紫外(DUV)浸没式光刻机 [3][5] - 中国商务部对此表达了“高度关切”和“坚决反对”,认为这是泛化国家安全概念、滥用出口管制,威胁全球半导体产业链供应链稳定的行为 [3] 受管制的具体设备与技术类别(基于条例附录) - 外延生长设备:用于硅或硅锗外延生长,且具备特定预处理腔室和沉积腔室(操作温度≤685°C或958 K)的设备 [6] - 清洗或去除设备:用于在真空环境(≤0.01 Pa)中去除聚合物残留和氧化铜层以沉积铜金属的设备,以及用于干法去除表面氧化物或污染的多腔室/多工位设备 [6] - 沉积设备:涵盖多种先进的沉积技术,具体包括: - 用于沉积“功函数”金属(如钛铝碳化物)的原子层沉积(ALD)设备 [6] - 用于在深宽比≥1:1且宽度<25 nm的“孔”内进行无空隙等离子体增强沉积(介电常数<3.3)的设备 [7] - 用于沉积钼、钌或其组合的ALD设备,要求金属前驱体源温度>75°C且可使用含氢还原剂(压力≥4 kPa或30 Torr) [7] - 使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或带有自由基和UV处理的化学气相沉积在单一平台沉积介电层的设备,要求衬底温度<500°C,并在特定尺寸(深宽比≥1:1.8,宽度<24 nm)的金属“孔”内沉积厚度6-20 nm、介电常数<3.0的层 [7] - 使用直接液体注入两种以上金属前驱体,在同一沉积腔内于深宽比≥200:1的“孔”中沉积保形介电层(介电常数K>40)的设备 [7] - 使用直接液体注入两种以上金属前驱体,在同一沉积腔内于深宽比≥50:1的“孔”中沉积保形介电层(介电常数K>35)的设备 [7] - 用于在多腔室/多工位中对晶圆进行多步处理,以实现无阻挡层的钨或钼选择性生长的设备或系统 [8] - 使用远程产生自由基沉积含硅和碳层的设备,要求沉积层在特定尺寸(如深宽比>5:1,横向宽度<35 nm,两“孔”间距<45 nm)下介电常数K<4.4 [8] - 其他使用远程产生自由基沉积含硅和碳层的设备,要求沉积层在特定尺寸(如深宽比>5:1,横向宽度<70 nm,两“孔”间距<100 nm)下介电常数K<5.3 [8] - 光刻设备: - 使用光光学或X射线方法,光源波长≥193 nm,能够产生≤45 nm“最小可分辨特征尺寸”(MRF)图案,且最大“专用卡盘套刻精度”(DCO)≤1.50 nm的步进重复或步进扫描光刻机 [8] - 使用光光学或X射线方法,光源波长≥193 nm,能够产生≤45 nm MRF图案,且最大DCO值>1.50 nm且≤2.40 nm的步进重复或步进扫描光刻机 [9] - 专为上述DCO值>1.50 nm且≤2.40 nm的光刻设备设计或修改,旨在任何时间间隔内将每小时处理的晶圆数量至少提高1%的设备 [9] - EUV薄膜(Pellicles) [9] - 测试、计量与检测设备: - 用于检测或检查已应用图案的晶圆(直径≥300mm)缺陷的系统,要求能检测尺寸≤21 nm的缺陷,并采用特定技术(如波长<400 nm的光源、分辨率≤1.65 nm的电子束、冷场发射电子束源或多个电子束源) [9] - 用于在光刻胶显影或蚀刻后测量生产晶圆对准或聚焦的系统,要求对准测量精度≤0.5 nm,并具有特定特性(如设计用于集成到“轨道”中或使用快速波长切换功能) [9] 受管制的软件与技术 - 专用软件:专门为上述受管制设备(如3B801.f.5, 3B801.f.6, 3B801.a.4, 3B801.d系列等条目所列)的“开发”、“生产”或“使用”而设计的软件 [11] - 计算光刻软件:为深紫外(DUV)光刻掩模的图案开发或生产而设计或适配的,用于光刻计算优化的软件 [11] - 专用技术:为上述受管制设备的“开发”、“生产”或“使用”所“必需”的技术 [12] 条例的实施与过渡安排 - 该修正案将于2025年4月1日生效,以便让行业有尽可能多的时间进行必要的准备 [15] - 现有的、正在进行的许可证在指定期限内仍然有效,新法规生效前提交但尚未授予的许可证申请,其中提到的战略货物(SG)代码将转换为新代码 [15] - 在编制此修正案期间,已咨询了相关行业 [15]