行业技术突破 - 全球首款300毫米（12英寸）碳化硅外延晶片在中国成功开发并实现技术首发 [1] - 该技术突破有望为中国第三代半导体产业的规模化、低成本应用奠定关键基础 [1] - 碳化硅作为第三代半导体核心材料，在耐高压、耐高温和高频性能上相较于传统硅材料优势显著 [1] 产品性能与优势 - 12英寸碳化硅外延晶片由瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司研发 [1] - 单片12英寸晶片可承载的芯片数量是6英寸产品的4.4倍，是8英寸产品的2.3倍 [1] - 在相同生产工序下，单片承载芯片数量扩容，可降低下游功率器件的制造成本 [1] - 产品关键性能指标优异：外延层厚度不均匀性小于3%，掺杂浓度不均匀性控制在8%以内，芯片良率超过96% [1] 市场应用与影响 - 该技术将加速碳化硅功率器件在新能源汽车、光伏发电、智能电网、轨道交通及航空航天等领域的规模化、低成本应用 [1] - 全球半导体产业竞争正加速向大尺寸晶片演进 [2] - 此次突破体现了中国在碳化硅外延技术领域的领先性，为构建自主可控的第三代半导体产业生态、抢占未来产业竞争制高点提供了材料基础 [2] 公司地位与供应链 - 瀚天天成是中国首家实现商业化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供应的生产商 [2] - 产品的成功开发得益于关键供应链的国产化协同，其核心生产设备与衬底材料均由国内企业提供 [1] - 目前，12英寸碳化硅外延晶片的批量供应筹备工作已启动 [2]