文章核心观点 - 人工智能基础设施持续推动存储需求增长，导致NAND闪存供应收紧、价格大幅上涨，并深刻改变了存储行业的技术与竞争格局 [1][21] - 存储行业正从提供通用标准产品向为AI提供定制化、高性能解决方案转型，其中高带宽内存（HBM）的定制化是当前竞争焦点 [8][9] - SK海力士等头部厂商发布了覆盖HBM、DRAM、NAND的详细AI存储战略路线图，旨在通过技术创新绑定AI发展，引领“存力升级” [1][3][22] 行业现状与市场动态 - NAND供应与价格：NAND闪存晶圆供应进一步收紧，部分产品2024年11月合同价格涨幅超过60% [1]；闪迪在3月、9月两轮涨价后，11月直接提价50%，三星跟进部分产品涨幅超60% [21] - 需求驱动与影响：AI基础设施持续推动NAND闪存需求增长，全球前五大NAND闪存供应商总营收环比增长16.5%，接近171亿美元 [1]；内存价格上涨推高了智能手机、笔记本电脑等消费电子产品的物料成本，导致设备出货量减少 [1] - 资本支出趋势：2025年DRAM资本支出预计为537亿美元，2026年预计增至613亿美元，同比增长约14% [12]；2025年NAND Flash资本支出预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，同比增长约5% [19] SK海力士的AI存储战略 - 战略愿景：公司提出“全线AI存储创造者”新战略愿景，并给出了从2026年至2031年的详细产品路线图 [1] - 三大布局：战略具体分为定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）三个方向 [3] 定制化HBM (Custom HBM) - 技术定义与优势：定制化HBM将GPU/ASIC的协议和控制器等功能整合到HBM基础裸片上，为计算单元释放更多空间，并显著降低接口能耗 [3][7][8] - 市场竞争与客户：SK海力士已收到美国“七巨头”（苹果、微软、谷歌、亚马逊、Nvidia、Meta、特斯拉）的定制HBM请求 [8]；定制HBM已成为存储巨头竞争的关键，三星、美光等均在布局 [8] - 具体合作与份额：SK海力士为谷歌第七代TPU供应HBM3E芯片，韩国投资证券预测其2025年在谷歌TPU HBM供应中占56.6% [6] - 技术演进与规划：定制化趋势将从HBM4e开始 [8]；SK海力士与三星计划在2026年上半年完成HBM4e开发，该产品将用于英伟达计划2027年发布的“Rubin”平台旗舰型号R300 [9]；公司中长期将进入HBM5世代 [3] - 厂商技术路径：三星在HBM4起使用自家代工厂工艺制造基底芯片，SK海力士使用台积电工艺，美光在HBM4e上与台积电合作 [9] AI DRAM (AI-D) - 三大方向：公司细化了AI DRAM的三大方向：优化（Optimization）、突破（Breakthrough）、扩展（Expansion） [12][16] - 优化方向：包括MRDIMM、LPDDR5R等低功耗高性能方案，旨在降低总体拥有成本并提高运营效率 [13]；在美光与英特尔的测试中，使用容量翻倍的TFF MRDIMM时，运算效率相比RDIMM提高了1.7倍，数据迁移减少了10倍 [15] - 突破方向：旨在克服“存储墙”，包含CXL内存模块、存内计算（PIM）等前沿技术 [16] - 扩展方向：旨在将DRAM使用案例从数据中心扩展至机器人、移动端和工业自动化等领域 [16] AI NAND (AI-N) - 三大方向：公司提出了AI NAND的三大方向：性能（Performance）、带宽（Bandwidth）、密度（Density） [19][20] - 性能方向：旨在最小化AI计算与存储间的瓶颈，提升处理速度和能效，计划于2026年底推出样品 [19] - 带宽方向：通过垂直堆叠芯粒扩大带宽，作为弥补HBM容量增长限制的解决方案，关键是将HBM堆叠结构与高密度NAND结合（HBF技术） [19]；SK海力士与闪迪合作推动HBF技术标准化，目标在2026年下半年推出样品 [19] - 密度方向：目标是将存储密度提高到PB级别，实现结合SSD速度和HDD成本效益的解决方案 [20] - 技术规划：NAND部分计划实现400层以上堆叠，并推出PCIe Gen7 SSD和UFS 6.0等产品 [3] 行业未来展望 - 涨价预期：存储业内预计，当前由AI规模化应用导致的结构性缺货将引发更大幅度的价格上涨 [21] - 技术融合：存储与AI的绑定将越来越深，“存力升级”必须紧随“算力升级”的步伐 [21][22]；AI训练侧对存储容量和带宽需求全面提升，推理侧则对带宽需求突出 [21]