文章核心观点 - SK海力士正与东进世美肯合作开发高性能EUV光刻胶 旨在实现该半导体核心材料的国产化供应并降低对日本的依赖 同时意图开发出性能优于日本竞品的材料 [1][4] 合作背景与动因 - 2019年韩日贸易争端导致日本对关键芯片制造材料实施出口限制 促使韩国业界致力于推动芯片供应链国产化以降低对日依赖 [3] - 韩国对日本光刻胶进口的依赖度已从2018年的93.2%下降至2024年的65.4% [3] - 随着DRAM中EUV光刻层数增加 光刻胶开发的必要性增大 例如第7代（1d）产品EUV层数达7层 且预计在10纳米以下产品中会进一步增加 [3] 合作具体内容与目标 - SK海力士与东进世美肯合作开发高性能EUV光刻胶 特别要求改善材料的光敏性以提高生产效率 [1] - 提高光刻胶感光度可缩短曝光时间 从而在更短时间内刻印微细电路 意味着生产效率提高 [1] - 此次合作野心更大 不仅想做日本产品的国产化替代 更意图开发出优于日本竞品的材料 [4] - 此前SK海力士在2023年通过子公司实现了部分EUV光刻胶国产化 但仅限于低规格产品 [4] 行业现状与挑战 - 目前高端光刻胶市场大部分份额由JSR 信越化学 东京应化TOK等日本供应商占据 在7nm以下先进制程市场 韩企长期高度依赖日本供应商 [3] - EUV光刻胶的技术复杂性远高于传统的ArF光刻胶 韩国在用于7nm及以下先进制程的EUV光刻胶领域仍然落后 [4] - 材料开发需要相当长时间 EUV光刻胶准入门槛很高 目前很难预测合作结果 [4] - 日本企业积累了数十年的专利壁垒和生产经验 新进入者很难绕开其专利网 同时面临巨大的价格战压力 [4]