核心观点 - 纳微半导体宣布推出基于第四代GeneSiC™平台和Trench-Assisted Planar技术的新型3300V和2300V超高压碳化硅产品组合 旨在为AI数据中心、电网能源基础设施和工业电气化等关键任务应用提升效率、可靠性和系统寿命 [1][2][10] 产品与技术 - 新产品包括3300V和2300V超高压器件 提供功率模块、分立器件和已知合格芯片三种封装形式 [2] - 产品基于第四代GeneSiC™平台 采用Trench-Assisted Planar架构 通过多步电场管理剖面显著降低电压应力并提升耐压能力 相比传统沟槽和平面型碳化硅MOSFET性能更优 [3] - TAP技术具备优化的源极接触设计 实现了更优的元胞间距密度和电流扩展能力 从而改善了开关品质因数并降低了高温下的导通电阻 [4] 封装创新与性能 - 为满足高功率密度和高可靠性系统需求 产品集成于先进的SiCPAK™ G+功率模块封装中 提供半桥和全桥电路配置 [5] - SiCPAK™ G+功率模块采用独特的环氧树脂灌封技术 相比类似的硅凝胶灌封技术 其功率循环寿命提升超过60% 热冲击可靠性提升超过10倍 [6] - 该功率模块采用氮化铝DBC基板以实现卓越散热 并采用新型高电流压接引脚 使每引脚载流能力翻倍 分立器件则提供TO-247和TO-263-7行业标准封装 [7] 可靠性标准与测试 - 公司创建了行业首创的可靠性认证基准AEC-Plus* 表明其碳化硅产品认证标准超越了现有的AEC-Q101和JEDEC标准 [8] - AEC-Plus等级认证标准扩展至更严格的多批次测试 在现有AEC-Q101要求基础上增加了动态反向偏压、动态栅极开关等严苛测试项目 静态高温高压测试持续时间延长了3倍以上 并包含针对功率模块和分立器件的特定高压测试 [13] - 严格的已知合格芯片筛选流程包括对切割后单颗芯片进行全面的常温和高温测试以及六面光学检测 以确保最终模块在超高压应用中的性能和可靠性 [9] 市场应用与战略意义 - 新产品组合使客户能够在AI数据中心的固态变压器、公用事业规模电池储能和可再生能源等领域突破效率和可靠性的界限 [10] - 该系列高性能超高压功率半导体是公司迈向10kV碳化硅解决方案路线图的重要一步 [11] - 公司专注于AI数据中心、性能计算、能源与电网基础设施及工业电气化市场 并拥有超过300项已授权或申请中的专利 是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [12]