行业周期与价格趋势 - 存储行业自2010年至今经历三个完整周期，本轮上行周期由AI服务器、多模态应用等需求爆发推动，供需缺口持续扩大 [1] - 自2025年3月起利基DRAM价格率先上涨，25Q2-Q3 NAND Flash、DDR5等产品涨幅加速，10月部分型号价格环比涨幅达40-100% [1] - 展望26H1，行业供需缺口或进一步扩大，价格涨势有望延续 [1] 需求侧驱动因素 - AI推动数据中心存储需求从2020年600EB增至2028年2.4ZB [1] - Sora2等应用显著提升存储消耗 [1] - AI算力需求持续增长为行业提供支持 [2] 技术创新与发展 - HBM4将于2026年量产 [1] - CBA架构、HBF方案等创新提升存储性能 [1] 供给侧状况 - 供给侧原厂聚焦HBM扩产，NAND Flash资本开支维持低位 [1] - 预计2026年新增产能仍无法满足需求 [1] - 海外原厂25Q3营收创历史新高，国内模组厂商利润加速释放 [1] 相关投资标的特征 - 科创芯片ETF国泰（589100）跟踪科创芯片指数（000685），单日涨跌幅达20% [2] - 指数从科创板选取涉及半导体材料、设备、设计与制造等全产业链环节的上市公司证券 [2] - 指数具有高纯度的国产替代特征，行业集中度较高，受益于政策支持 [2]