存储市场供需状况 - 存储市场正经历罕见的供需失衡，内存短缺问题因云巨头资本支出扩大和AI需求挤压供应而加剧 [1] - 三星于10月暂停DDR5 DRAM合约定价，引发内存价格暴涨 [1] - 512Gb TLC晶圆价格在10月下旬达到5美元，1Tb TLC/QLC晶圆价格触及6.5至7.2美元区间 [1] HBF技术概述 - 高带宽闪存是一种NAND版本的高带宽内存技术，通过将16层NAND堆栈通过逻辑芯片连接到中介层，再以多通道高带宽方式连接到处理器 [2] - HBF能匹配HBM内存的带宽表现，同时在相近成本下提供8至16倍的存储容量 [3] - 该技术旨在解决AI多模态、长上下文模型需要维护庞大中间状态数据的问题，在DRAM的高速度和NAND的大容量间找到最优解 [2] 主要厂商HBF布局 SK海力士 - 公司发布"AIN Family"产品阵容，其中AIN B是采用HBF技术的产品，核心是将高容量、低成本的NAND与HBM堆叠结构相结合 [4][5] - AIN系列从性能、带宽、容量三个维度优化，计划于2026年底推出AIN P样品 [5] - 公司已向清州M15X工厂运入首批设备，将重点量产下一代HBM产品，并为HBF未来部署奠定基础 [6] - 2025年8月与闪迪签署HBF标准化谅解备忘录，推动生态系统发展 [11] 闪迪 - 计划于2026年下半年向客户提供HBF样本，2027年初为推理AI提供正式产品 [9] - 单块GPU搭载的HBF内存可达到4TB容量，由8颗512GB HBF芯片组成，足以容纳16位权重的GPT-4模型 [9] - 一颗512GB HBF芯片即可承载640亿参数的MOE模型，且可拆分为8个64GB迷你阵列，为专家子模型提供专属存储 [10] 铠侠 - 采用多路径探索策略，开发了采用菊花链连接方式的闪存驱动器原型，使用PCIe 6总线实现5TB容量和64 GBps数据速率 [12] - 正在开发一款1亿IOPS的SSD，预计2027年推出，将支持PCIe 7.0标准，两个SSD直接连接到英伟达GPU可提供总计2亿IOPS性能 [13] - 技术路径包括CXL连接的XL-Flash驱动器、菊花链连接的XL-Flash珠子，以及XL-Flash HBF实现方案 [13] 三星 - 已启动自有HBF产品的早期概念设计工作，但产品规格和量产时间表仍未知 [16] - 作为DRAM和NAND双料冠军，在3D NAND堆叠技术、TSV工艺、先进封装等领域有深厚积累，具备天然协同优势 [16][17] - 采取谨慎的后发策略，先观察竞争对手技术路线和客户反馈，再以更成熟方案进入市场 [18] HBF市场前景 - HBF为混合专家模型及多模态大模型的端侧部署提供可能，是典型的"内存受限型应用"核心适配场景 [10] - 2026-2027年被视为关键窗口期，四大厂商的博弈将决定新兴市场格局 [19] - HBF技术可能使NAND从廉价存储转型为高价值核心组件，复制HBM从配角到主角的发展路径 [19]