公司技术突破 - 公司开发出采用三星Foundry 28纳米工艺的AI MCU，并应用其专有的标准逻辑兼容嵌入式闪存技术 [1] - 技术突破实现了基于公司Logic-EFLASH技术的零待机功耗权重内存集成，仅使用标准逻辑器件 [1] - 成果为一款专为电池供电智能边缘设备设计的高性价比、高能效AI MCU [1]