技术突破 - 研究团队通过冷冻电子断层扫描技术首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为[1] - 该技术合成出一张分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片”，克服了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点[1] - 冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具[1] 行业影响 - 光刻胶在显影液中的微观行为长期是“黑匣子”，工业界的工艺优化只能靠反复试错[1] - 此瓶颈成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键因素之一[1] - 深入掌握液体中聚合物的结构与微观行为，可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升[1] 工艺优化 - “显影”是光刻的核心步骤之一，通过显影液溶解光刻胶的曝光区域，将电路图案精确转移到硅片上[1] - 光刻胶在显影液中的运动直接决定电路图案转移的精确度和芯片良率[1] - 此项研究指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案[1]