公司专利技术进展 - 公司申请一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利 公开号CN120529616A 申请日期为2024年02月 [1] - 专利涉及基底结构包含沟道区域和源漏区域 绝缘层位于沟道区域顶部 沟道结构层悬置于绝缘层上方且包含纵向间隔设置的沟道层 [1] - 器件栅极结构环绕覆盖沟道结构层 源漏掺杂层覆盖沟道结构层侧壁 [1] 公司基础信息 - 公司成立于2000年 位于上海市 从事计算机 通信和其他电子设备制造业 [1] - 企业注册资本244000万美元 [1] - 对外投资4家企业 参与招投标项目127次 [1] 公司知识产权布局 - 拥有商标信息150条 专利信息5000条 行政许可449个 [1]