公司技术发展 - 公司于2024年1月申请半导体结构及其形成方法专利 公开号CN120388891A 涉及硅层与硅锗层在半导体衬底上的集成技术 实现表面平齐及鳍片高度统一的结构设计 [1] - 公司专利技术覆盖第一区域硅层与第二区域硅锗层的协同构造 鳍片由部分半导体衬底与对应材料层共同构成 提升器件结构一致性 [1] - 公司累计拥有专利信息5000条 反映持续的技术储备与创新能力 [1] 公司经营概况 - 公司成立于2000年 注册资本达244000万美元 专注于计算机、通信及其他电子设备制造领域 [1] - 公司通过对外投资4家企业 参与招投标项目127次 拓展业务生态与市场机会 [1] - 公司拥有行政许可451个及商标信息150条 体现合规经营与品牌建设成果 [1]