公司专利技术进展 - 中芯国际北京及上海公司联合申请"半导体结构及其形成方法"专利 公开号CN120018501A 申请日期2023年11月 [1] - 专利通过引入高介电常数盖帽层优化电荷分布 降低悬浮栅层顶部拐角处电荷聚集概率 [1] - 该技术方案使半导体结构可靠性得到提高 进而提升半导体结构性能 [1] 公司基本情况 - 中芯国际北京公司成立于2002年 注册资本100000万美元 从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 中芯国际上海公司成立于2000年 注册资本244000万美元 同属计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] 公司经营数据 - 北京公司对外投资1家企业 参与招投标51次 拥有专利5000条 行政许可226个 [2] - 上海公司对外投资4家企业 参与招投标127次 拥有专利5000条 商标149条 行政许可443个 [2]