文章核心观点 - 应用材料公司推出材料工程创新技术，使铜布线能扩展到2纳米及更先进节点，提高计算机系统每瓦性能 [1] 行业现状 - 当今最先进逻辑芯片含数百亿个晶体管，由超60英里的微观铜布线连接，低k电介质和铜是行业常用布线组合，但随着芯片向2纳米及以下节点发展，会出现芯片机械强度变弱、电阻增加等问题 [3] 公司创新成果 增强型低k电介质材料 - 公司推出增强版Black Diamond材料，属Producer™ Black Diamond™ PECVD*系列，降低最小k值，使芯片能扩展到2纳米及以下节点，同时提高机械强度，被所有领先逻辑和DRAM芯片制造商采用 [4] 新型二元金属衬垫 - 公司推出最新IMS™，结合六种不同技术，采用钌和钴的二元金属组合（RuCo），使衬垫厚度减少33%至2纳米，降低电气线路电阻达25%，改善芯片性能和功耗，被所有领先逻辑芯片制造商采用，已在3纳米节点向客户发货 [6] 客户评价 - 三星电子采用公司多项材料工程创新技术，以克服互连布线电阻、电容和可靠性等挑战 [7] - 台积电认为降低互连电阻的新材料将在半导体行业发挥重要作用，有助于提高整体系统性能和功率 [7] 市场机会 - 从7纳米节点到3纳米节点，互连布线步骤约增加两倍，公司布线业务的潜在市场机会每月每10万片晶圆新增超10亿美元，达约60亿美元，引入背面电源传输预计将使公司布线业务机会每月每10万片晶圆再增加10亿美元，达约70亿美元 [8] 其他信息 - 公司新的芯片布线产品及其他用于制造未来AI芯片的材料工程创新技术将在SEMICON West 2024技术早餐会上讨论，相关演示和材料将于7月9日上午9点（美国东部时间）/上午6点（太平洋时间）在公司网站公布 [9]