境外收入占比 - 境外营业收入占比2021年为75.66%[2] - 2019-2021年境外营业收入占比分别为70.00%/84.72%/75.66%[2] - 公司2019-2021年境外营收占比分别为70.00%、84.72%、75.66%[200] 政府补助 - 2021年计入当期损益的政府补助金额为13,007.65万元[2] - 政府补助占2021年利润总额绝对值的比例为66.01%[2] - 2020年政府补助金额为13,070.98万元[2] - 政府补助占2020年利润总额绝对值的比例为54.46%[2] - 2021年计入当期损益的政府补助为130,026,164.27元[26] - 公司获得政府补助收益11,811.66万元[79] - 其他收益为1.1812亿元，占利润总额比例59.94%，主要来自与日常活动相关的政府补助[141] 研发投入 - 2021年研发费用达2.66亿元[4] - 研发费用占营业收入比重2021年为28.69%[4] - 2019-2021年研发费用分别为1.10亿元/1.95亿元/2.66亿元[4] - 研发费用占营业收入比重2019-2021年分别为15.39%/25.54%/28.69%[4] - 2019至2021年研发费用分别为1.10亿元、1.95亿元、2.66亿元，占营业收入比重分别为15.39%、25.54%、28.69%[90] - 2021年研发费用为26,642.59万元，占营业收入28.69%[90] - 研发费用同比增长36.37%至266,425,880.28元，主要因加大半导体业务研发投入[119] - 研发投入金额2021年为2.664亿元，占营业收入比例28.69%[124] - 研发投入金额连续三年增长：2019年1.105亿元，2020年1.954亿元，2021年2.664亿元[124] - 研发投入资本化金额连续三年为0，资本化率为0%[124] 研发人员 - 公司研发人员占比41.21%，博士硕士合计占比26.71%[71] - 研发人员数量2021年361人，较2020年332人增长8.73%[122] - 研发人员占比2021年41.21%，较2020年55.06%下降13.85个百分点[122] - 研发人员学历构成：博士及以上39人增长21.88%，硕士152人增长15.15%，本科111人增长20.65%[123] - 研发人员年龄构成：30岁以下91人增长10.98%，30-40岁160人增长5.96%，40-50岁65人增长16.07%[123] 收入和利润（同比） - 2021年营业收入为9.285亿元人民币，同比增长21.38%[18] - 归属于上市公司股东的净利润为2.057亿元人民币，同比增长2.30%[18] - 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为3585.62万元人民币，同比增长543.72%[18] - 公司2021年营业收入为92,854.70万元，同比增长21.38%[77] - 营业利润为19,745.91万元，同比下降18.26%[77] - 归属于上市公司股东的净利润为20,572.75万元，同比增长2.30%[77] - 扣除非经常性损益的净利润为3,585.62万元，同比大幅增长543.72%[77] - 公司2021年总营业收入为9.285亿元人民币，同比增长21.38%[107] 成本和费用（同比） - 公司研发费用达2.66亿元，管理费用达1.32亿元[78] - 管理费用同比增长44.48%至132,251,450.93元，主要因业务扩张及股权激励费用分摊[119] - 财务费用同比大幅下降186.32%至-19,936,236.44元，主要因募集资金利息收入及汇兑收益增加[119] - 销售费用同比增长11.68%至25,791,930.44元[119] - MEMS行业制造费用同比增长43.25%至1.65亿元[112] - 导航行业直接人工成本同比增长95.08%至210.79万元[112] - MEMS晶圆制造业务营业成本同比增长42.01%至3.76亿元[113] 季度财务表现 - 第四季度营业收入为2.904亿元人民币，环比增长19.38%[20] - 第四季度归属于上市公司股东的净利润为1.15亿元人民币，环比增长515.5%[20] 资产和现金流 - 经营活动产生的现金流量净额为1.036亿元人民币，同比下降59.44%[18] - 2021年末资产总额为72.396亿元人民币，同比增长51.59%[18] - 2021年末归属于上市公司股东的净资产为50.83亿元人民币，同比增长64.88%[18] - 加权平均净资产收益率为5.58%，同比下降1.25个百分点[18] - 基本每股收益为0.31元/股，与2020年持平[18] - 报告期末总资产723,964.23万元，较期初增长51.59%[79] - 归属于上市公司股东的所有者权益508,299.24万元，每股净资产6.96元，较上年增长44.36%[79] - 经营活动产生的现金流量净额同比下降59.44%至1.04亿元[138] - 投资活动产生的现金流量净额同比下降120,778.50%至-5.70亿元[138] - 筹资活动产生的现金流量净额同比激增8,296.58%至23.71亿元[138] - 现金及现金等价物净增加额同比大幅增长510.21%至18.55亿元[138] - 经营活动现金流入同比下降11.76%至10.84亿元[138] - 投资活动现金流出同比激增139.15%至8.72亿元[138] - 筹资活动现金流入同比激增444.45%至27.63亿元[138] - 公司净利润为1.87亿元，与经营现金流差异8292.75万元[139] - 报告期内计入损益的政府补助1.30亿元部分未实际收到[139] - 投资活动现金流出增加主因设备采购及收购Silex少数股权[138] - 货币资金增加至28.35亿元，占总资产比例从19.62%增至39.16%，增幅19.54%，主要因收到特定对象发行股票募集资金[142] - 应收账款减少至1.807亿元，占总资产比例从5.74%降至2.50%，降幅3.24%，主要因拟出售导航业务重要子公司100%股权[142] - 在建工程增加至2.722亿元，占总资产比例从1.23%增至3.76%，增幅2.53%，主要因瑞典及北京MEMS产线新增待安装生产设备[142] - 持有待售资产新增5.5708亿元，占总资产比例7.69%，主要因拟出售导航业务重要子公司100%股权[143] - 资产总计增至72.40亿元，较期初增长39.88%，主要因收到向特定对象发行股票募集资金[143] - 其他应付款增至5.879亿元，占总资产比例从1.99%增至8.12%，增幅6.13%[143] - 衍生金融资产减少至12.02万元，占总资产比例从0.53%降至0.00%，降幅0.53%，主要因远期外汇合约规模减少[143] - 持有待售负债为1.37亿元，占比1.89%，主要因拟出售导航业务重要子公司100%股权所致[145] - 流动负债合计为10.88亿元，占比15.03%，同比增长2.44%，主要因应付购买瑞典Silex少数股东股权及预收导航业务子公司股权转让款所致[145] - 负债合计为15.58亿元，占比21.52%，同比下降5.74%，主要因应付购买瑞典Silex少数股东股权及预收导航业务子公司股权转让款所致[145] - 资本公积为39.56亿元，占比54.64%，同比增长19.96%，主要因收到向特定对象发行股票募集资金所致[145] - 所有者权益合计为56.82亿元，占比78.48%，同比增长5.74%，主要因收到向特定对象发行股票募集资金所致[145] 业务收入构成 - MEMS行业收入为8.155亿元人民币，占总收入87.83%，同比增长19.98%[107] - 导航行业收入为9551万元人民币，同比增长91.26%，收入占比从6.53%提升至10.29%[107] - GaN行业收入大幅增长918.64%至286万元人民币[107] - 境内收入增长93.32%至2.260亿元人民币，占比从15.28%提升至24.34%[107] - 境外欧洲收入增长69.96%至3.410亿元人民币，占比从26.22%提升至36.72%[107] - MEMS业务2021年收入81,552.76万元，同比增长19.98%[80] - MEMS晶圆制造收入51,584.15万元，同比增长19.95%[80] - MEMS工艺开发收入29,968.61万元，同比增长20.02%[80] - MEMS业务中国境内收入11,780.60万元，同比增长271.78%，占比14.45%[85] 业务毛利率 - MEMS业务整体毛利率保持在46.69%的较高水平[78] - MEMS业务综合毛利率46.69%，同比下降1.66个百分点[81] - MEMS晶圆制造毛利率27.03%，同比下降11.33个百分点[81] - MEMS工艺开发毛利率80.35%，同比上升14.97个百分点[81] - 瑞典产线晶圆制造毛利率从39.62%下降至30.25%[82] - 北京FAB3产线2021年收入5,797.92万元且MEMS晶圆制造毛利率为-77%[82][80] - MEMS晶圆制造毛利率27.03%，同比下降11.33个百分点[109] - MEMS工艺开发毛利率80.53%，同比上升14.97个百分点[109] - 境外北美地区收入下降15.80%至3.467亿元人民币，毛利率59.68%[109] - 直销模式收入占比100%，整体毛利率45.59%[109] 产线与产能 - 瑞典8英寸MEMS产线年产能84,000片晶圆，产能利用率56.61%，生产良率71.96%[54] - 北京8英寸MEMS产线年产能30,000片晶圆，产能利用率14.07%，生产良率87.35%[54] - 青岛8英寸GaN外延晶圆产线年产能10,000片，产能利用率10.13%，生产良率99.27%[54] - 北京MEMS产线正从当前1万片/月向3万片/月产能扩充[54] - 北京FAB3产线一期规模产能为1万片/月，二期规模产能为2万片/月[59] - 参股子公司聚能国际推进GaN芯片制造产线一期产能5000片/月建设[59] - 每张8英寸晶圆产出芯片数量约为6英寸晶圆的2倍[55] - 每张12英寸晶圆产出芯片数量约为8英寸晶圆的2.25倍[55] - 北京FAB3产线处于运营初期及产能爬坡阶段[39] - 北京MEMS产线一期产能于2021年第二季度开始正式生产并产能爬坡[157] 技术与专利 - 公司第三代半导体业务涉及氮化镓（GaN）材料及硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术[12] - 公司MEMS业务采用深反应离子刻蚀（DRIE）技术[12] - 公司TSV、TGV、DRIE等核心工艺技术达到国际领先水平[33] - 公司熟练掌握硅通孔TSV及玻璃通孔TGV工艺技术[34] - 晶圆键合技术达到国际领先水平[34] - 压电材料MEMS磁性材料等多项材料应用技术处于相对领先[34][36] - 采用深反应离子刻蚀博世工艺等干法刻蚀技术[37] - 公司拥有国际/国内专利164项，软件著作权132项，正在申请专利39项[70] - 公司拥有集成电路注册商标23件[126] - 公司累计拥有集成电路软件著作权16项[126] - 公司已取得集成电路专利129项[126] - 公司正在申请集成电路专利35项[126] - 软件著作权中原始取得12项，购买取得4项[127] - 专利覆盖瑞典、美国、加拿大、香港、新加坡等多个国家/地区[128] - 部分专利有效期至2021-2023年期间[128] - 专利类型全部为发明专利[128] - 专利权人主要为Silex（瑞典子公司）[128] - 商标所有权人包括Silex（20项）和聚能创芯/聚能晶源（3项）[126] - 公司拥有多项发明专利，包括晶圆制造兼容的"Ⅴ"型槽（专利号7560802）[12] - 压力传感器相关专利包括6973835和7207227，分别于2005年和2007年取得[13][14] - 微针技术专利覆盖多个国家，包括瑞典（0950857-3）、美国（8308960）和欧洲多国[15][36] - 硅通孔技术专利涵盖镜面与通孔结构（0802663-5、1051193-9）[16][19] - 金属通孔专利在瑞典（07709445.6）、英国法国（1987535）、德国（602007014953.3）均有布局[21][22][24] - 低阻抗晶圆穿孔专利在中国（ZL200880104019.3）、法国英国（2165362）、德国（602008013287.0）获得授权[25][26][27] - 含通孔的硅片专利覆盖日本（4944605）、韩国（10-1123002）、中国（ZL200480013932.4）[29][30][31] - 玻璃微流器件专利（1150429-7）于2013年取得，有效期至2022年[35] - 热压和共晶混合键合专利（8485416）在美国获得授权，有效期至2025年[48] - 无电极电镀金属硅通孔专利（1251089-7）于2016年取得，有效期至2022年[49] - 公司拥有多项美国发明专利，包括镜面与通孔技术（专利号8729713）[55]、新型键合工艺（专利号8729685）[56]、用于制作通路互连的方法（专利号8742588）[58]和锚定技术（专利号8866289）[60] - 公司在日本布局发明专利，包括新型键合工艺（专利号5550076）[57]和镜面与通孔技术（专利号5701772）[64] - 公司在中国大陆获得镜面与通孔技术发明专利（专利号ZL200980157697.0）[59] - 公司在瑞典拥有在玻璃晶圆上的薄金属盖帽结构专利（专利号1351530-9）[61]和晶圆级键合的多重压力计专利（专利号1450135-7）[63] - 公司在英国和法国获得金属通孔的化学机械平坦化处理专利（专利号2901475）[65]和排气孔前驱体专利（专利号2383601）[68] - 公司在德国布局金属通孔化学机械平坦化路径专利（专利号602013066310.6）[66]和排气孔前驱体专利（专利号602009035476.0）[67] - 公司在中国台湾获得微封装发明专利（专利号I461348）[62]和低阻抗晶圆穿-孔发明专利（专利号I463629）[78] - 公司在韩国拥有低阻抗晶圆穿-孔专利（专利号10-1465709）[82]和用于制作通路互连的方法专利（专利号10-1655331）[83] - 公司在美国新增互补金属氧化物半导体硅通孔专利（专利号9312217）[75]和盲孔化学机械平坦化路径专利（专利号9355895）[76] - 公司专利覆盖MEMS器件关键技术领域，包括场效应管（美国专利9249009）[69]、微结构/镜（德国专利60348523.5）[70]和压力传感器（德国专利60248753.6）[91] - 公司拥有覆盖美国、法国、英国、德国的功能性盖帽发明专利，专利号9620390、2864237、602013021051.9等[133] - 公司拥有在美国、中国、德国、法国、英国的在玻璃晶圆上的薄金属盖帽结构相关专利，专利号9718674、ZL201480058712.7、3038974等[133][134] - 公司微封装/减弱的互扰专利覆盖德国、法国、英国，专利号602008051632.6、2121511、602008064004.3等[133][134] - 公司互补金属氧化物半导体硅通孔专利在英国、法国、德国注册，专利号2005467、602007055324.5[133] - 公司温度匹配的中介层专利在法国、英国、德国获得，专利号2837026、602013057923.7、9224681[133][134] - 公司新型键合工艺专利在德国、英国、法国申请，专利号602010062897.3、2425450[134] - 公司金属通孔化学机械平坦化路径专利在美国、英国、法国、德国获得，专利号9240373、2826066、602013070520.8[134] - 公司盲孔化学机械平坦化路径专利在法国、英国、德国申请，专利号2831913、602013075159.5[134] - 公司在中国拥有制作带有沟道或空腔的半导体结构方法专利，专利号ZL201