公司基本信息 - 公司中文名称为苏州长光华芯光电技术股份有限公司，简称长光华芯[21] - 公司法定代表人为闵大勇[21] - 公司注册地址和办公地址均为苏州高新区昆仑山路189号科技城工业坊 -A 区2号厂房 -1-102、2号厂房 -2-203[21] - 公司办公地址邮政编码为215163[21] - 公司网址为www.everbrightphotonics.com[21] - 公司电子信箱为dongban@everbrightphotonics.com[21] - 董事会秘书姓名为叶葆靖，证券事务代表姓名为杜佳[22] - 董事会秘书和证券事务代表联系电话均为0512 - 66896988 - 8008[22] - 董事会秘书和证券事务代表传真均为0512 - 66806323[22] - 董事会秘书和证券事务代表电子信箱均为dongban@everbrightphotonics.com[22] 财务数据关键指标变化 - 本报告期营业收入2.5037825017亿元，上年同期1.9074260314亿元，同比增长31.26%[26] - 本报告期归属于上市公司股东的净利润5918.180983万元，上年同期4744.916354万元，同比增长24.73%[26] - 本报告期归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润3983.461196万元，上年同期3234.449067万元，同比增长23.16%[26] - 本报告期末归属于上市公司股东的净资产31.7063116742亿元，上年度末6.3734208822亿元，增长397.48%[26] - 本报告期末总资产35.1011764680亿元，上年度末9.8335456890亿元，增长256.95%[26] - 本报告期基本每股收益0.4988元/股，上年同期0.4666元/股，同比增长6.91%[27] - 本报告期扣除非经常性损益后的基本每股收益0.3357元/股，上年同期0.3180元/股，同比增长5.56%[27] - 本报告期加权平均净资产收益率8.80%，上年同期8.85%，减少0.05个百分点[27] - 本报告期研发投入占营业收入的比例21.60%，上年同期19.67%，增加1.93个百分点[30] - 报告期研发费用较上年同期增长44.19%[31] - 费用化研发投入本期数为54,088,050.06元，上年同期数为37,511,040.69元，变化幅度44.19%[76] - 研发投入合计本期数为54,088,050.06元，上年同期数为37,511,040.69元，变化幅度44.19%[76] - 研发投入总额占营业收入比例本期为21.60%，上年同期为19.67%，增加1.93个百分点[76] - 报告期内研发投入总额为5,408.81万元，较上年同期增长44.19%[77] - 2022年上半年实现营业收入25,037.83万元，较上年同期增长31.26%[95] - 报告期末总资产额为351,011.76万元，较上年末增长256.95%[95] - 归属于上市公司股东的所有者权益为317,063.12万元，较上年末增长397.48%[95] - 报告期内研发投入5,408.81万元，占营业收入比例21.60%，较上年同期增长44.19%[95] - 2022年上半年公司实现营业收入25,037.83万元，较上年同期增长31.26%[108] - 2022年上半年归属于上市公司股东净利润5,918.18万元，较上年同期增长24.73%[108] - 报告期末，公司总资产额为351,011.76万元，较上年末增长256.95%[108] - 报告期末，归属于上市公司股东的所有者权益为317,063.12万元，较上年末增长397.48%[108] - 营业收入为2.5037825017亿元，较上年同期的1.9074260314亿元增长31.26%，主要因市场规模及产能扩大[109] - 营业成本为1.1660275191亿元，较上年同期的0.8980673493亿元增长29.84%，主要因销售量增加[109] - 研发费用为0.5408805006亿元，较上年同期的0.3751104069亿元增长44.19%，主要因引进科研人员及增加研发项目投入[109] - 筹资活动产生的现金流量净额为24.9375228598亿元，较上年同期的0.039844028亿元增长62487.86%，主要因公司公开发行股票并在上海证券交易所科创板上市[109] - 货币资金期末数为2.5241354692亿元，占总资产比例7.19%，较上年期末的0.56916907亿元增长343.48%，主要因结构性存款到期未购买下期[114] - 应收账款期末数为1.7867643532亿元，占总资产比例5.09%，较上年期末的1.7958165324亿元下降0.50%[114] - 存货期末数为2.1548427430亿元，占总资产比例6.14%，较上年期末的1.6346326074亿元增长31.82%，主要因预防性备货[117] - 固定资产期末数为1.7987210852亿元，占总资产比例5.12%，较上年期末的1.3093090115亿元增长37.38%，主要因加大固定资产投入[117] - 合同负债期末数为0.0288194895亿元，占总资产比例0.08%，较上年期末的0.1452086220亿元下降80.15%，主要受预收合同执行进度影响[117] - 其他应付款期末数为0.7071587297亿元，占总资产比例2.01%，较上年期末的0.0170709399亿元增长4042.47%，主要因包含已宣告尚未支付的股利[120] 业务线相关信息 - 公司聚焦半导体激光行业，专注于半导体激光芯片研发、设计及制造，产品包括高功率单管、高功率巴条、高效率VCSEL、光通信芯片系列等[45] - 公司已建成覆盖芯片设计等IDM全流程工艺平台和3吋、6吋量产线，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一[48] - 公司依托高功率半导体激光芯片技术优势，建立高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，业务向下游延伸[48] - 公司主要产品有高功率单管系列（含芯片、器件、光纤耦合模块、直接半导体激光器）、高功率巴条系列（含芯片、器件、阵列模块）[51] - 高效率VCSEL系列产品包括PS系列、TOF系列、SL系列，光通信芯片系列产品包括DFB系列、PD系列、EML系列[54] - 公司产品可广泛应用于光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工等多个领域[45] - 公司牢记企业使命，保持对半导体激光芯片持续研发投入，强化技术创新[45] - 公司紧跟下游市场趋势，开发领先产品，创新优化生产工艺，布局建设生产线[45] - 公司形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵[45] - 报告期内公司主营业务未发生重大变动[45] - 公司主营业务收入均来源于半导体激光芯片及其器件、模块等产品销售[57] - 新产品从概念设计到量产需经历6个阶段[60] - 公司生产模式为垂直一体化的IDM模式，以“订单式”为主、“库存式”为辅[64] - 公司构建GaAs和InP两大材料体系，建立边发射和面发射两大工艺技术和制造平台[65] - 高功率高效率高亮度芯片结构设计电光转换效率可达60%至65%[65] - 高功率单管芯片可实现30W激光输出，芯片可靠性超过20000小时[65] - 半导体激光芯片亮度最高可达80MW/cm²sr[68] - VCSEL芯片电光转换效率超过60%[68] - 腔面钝化处理技术可实现30W激光输出，芯片寿命达20000小时[68] - 建成3吋、6吋半导体激光芯片量产线，掌握核心技术及工艺，多数工艺环节自动化[89] - 建立6吋砷化镓晶圆生产线，每月生产数百万颗用于光纤激光泵浦的芯片[95] - 在国内率先建立6吋VCSEL产线，为多领域产品开发和交付做准备[96] - 公司拥有10年以上高功率半导体激光芯片研发及规模化生产经验，产品覆盖全产业链[92] - 公司在工业激光器等领域积累行业龙头及知名企业客户，为多家国家级骨干单位服务[92] 研发相关信息 - 截止2022年6月30日，公司研发人员数量增至112人[77] - 公司在研项目预计总投资规模为2.5557亿美元，本期投入金额为5397.4178万美元，累计投入金额为1.2561354亿美元[79][82] - 高性能VCSEL芯片研究预计总投资7990万美元，本期投入2397.12778万美元，累计投入6683.458929万美元[79] - 高功率半导体激光芯片研发预计总投资7000万美元，本期投入1766.166845万美元，累计投入1800.368433万美元[82] - 高性能激光芯片研究及设备技改项目预计总投资3167万美元，本期投入82.560083万美元，累计投入2017.511315万美元[79] - 高功率激光雷达光芯片的研发预计总投资700万美元，本期投入265.697427万美元，累计投入265.697427万美元[82] - 研发人员数量为112人，上年同期为106人，研发人员数量占公司总人数的比例为26.54%，上年同期为30.46%[85] - 研发人员薪酬合计为1645.48万美元，上年同期为1530.30万美元，研发人员平均薪酬为14.69万美元，上年同期为14.44万美元[85] - 研发人员中学历为硕士及以上的有46人，占比41.07%；本科学历有53人，占比47.32%；专科及以下有13人，占比11.61%[85] - 研发人员年龄在30岁及以下的有60人，占比53.57%；31 - 40岁有41人，占比36.61%；41 - 50岁有6人，占比5.36%；50岁以上有5人，占比4.46%[85] - 公司采用多有源区级联的半导体激光器设计，使VCSEL效率超过60%[88] - 商业化单管芯片输出功率达35W，巴条芯片连续输出功率达250W（CW），准连续输出1000W（QCW），VCSEL芯片最高转换效率超60%[89] - 截至2022年6月30日，公司拥有研发人员112人，占员工总人数的26.54%[99] 公司风险信息 - 公司面临客户集中度较高、产品价格下降、宏观经济及行业波动等经营和行业风险[100][101] - 公司面临知识产权争议、技术秘密泄露、固定资产投资等其他风险[104] - 公司存在不存在实际控制人、规模扩大导致的管理、产品质量控制等内控风险[105] - 公司产品生产技术要求高、更新迭代快，新型号产品导入量产可能使生产良率波动[99] 公司质量控制信息 - 公司重视产品质量，建立全流程质量控制体系并通过ISO9001体系认证[107] 公司股东及股权相关承诺 - 华丰投资、苏州英镭、长光集团自公司股票上市之日起36个月内限售股份，承诺时间分别为2021年3月16日、2021年4月15日、2021年4月12日[143] - 国投创投（上海）、璞玉投资自公司股票上市之日起12个月内限售股份，承诺时间分别为2021年4月8日、2021年3月24日[143] - 中科院创投、华科创投、达润长光、橙芯创投自公司股票上市之日起12个月内限售股份，承诺时间分别为2021年4月15日、2021年3月10日、2021年3月24日、2021年3月24日[143] - 苏州芯诚、苏州芯同自增资工商变更登记手续完成之日起36个月内且自公司股票上市之日起12个月内限售股份，承诺时间为2021年4月15日[147] - 伊犁苏新、国投创投（宁波）、南京道丰自增资工商变更登记手续完成之日起36个月内且自公司股票上市之日起12个月内限售股份，承诺时间分别为2021年4月19日、2021年4月8日、2021年4月19日[147] - 哈勃投资自公司股票上市之日起36个月内限售股份，承诺时间为2021年4月30日[147] - 间接持有公司股份的部分董监高自公司股票上市之日起12个月内限售股份，锁定期届满后2年内、任职及离任后6个月内也有限售要求，承诺时间为2021年4月24日[147][149] - 华丰投资自36个月锁定期届满之日起24个月内有关于持股及减持意向的承诺，承诺时间为2021年3月16日[149] - 苏州英镭、长光集团等公司关于持股及减持意向的承诺期限为持有公司股份的锁定期届满，承诺时间不同[149] - 公司、华丰投资、董事及高级管理人员有关于稳定股价的承诺，承诺时间分别为2021年5月6日、2021年3月16日、2021年4月[149] - 公司于2021年4月15日承诺长期进行股份回购和股份购回[153] - 公司于2021年5月6日承诺上市后三年内执行利润分配政策[153] - 集团、国投创投（上海）等多方于2021年不同时间承诺自公司股票上市之日起36个月内不谋求控制权[155] - 直接持有发行人5%以上股权的股东及其关联股东、公司董监高于2021年4月24日承诺长期规范关联交易[158] - 公司